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SemiSouth Laboratories, Inc. ha anunciado que el JFET de carburo de silicio fabricado por la empresa se ha utilizado en pequeños inversores de 0,5 litros para alcanzar una densidad de potencia de salida de 30kWh/l. Si los inversores de este tamaño y capacidad se utilizan con paneles fotovoltaicos, un inversor podría proporcionar electricidad suficiente para hasta cinco hogares.

International Rectifier lanza al mercado una familia de IGBT de 600 V homologados para el automóvil y optimizados para aplicaciones de control de motores de velocidad variable y de la fuente de alimentación utilizada en vehículos eléctricos e híbridos.

International Rectifier (IR) amplía su oferta de PQFN con un encapsulado PQFN de 2 mm x 2 mm y un PQFN de 3,3 mm x 3,3 mm. Los nuevos encapsulados integran dos MOSFET HEXFET® que utilizan la tecnología de silicio más avanzada de IR para ofrecer una solución económica y de alta densidad dirigida a aplicaciones de bajo consumo como teléfonos inteligentes, PC de tableta, videocámaras, cámaras fotográficas digitales, motores de CC y cargadores inductivos sin hilos así como PC portátiles, servidores y equipamiento para redes de comunicaciones.

Rohm Semiconductor amplía su línea de MOSFET de alta velocidad de conmutación y  alta resistencia a alto voltaje para circuitos PFC en fuentes de alimentación conmutada y circuitos de interruptor principal. Se encuentran disponibles en variedad de encapsulados tanto en montaje superficial (p.e.  CPT/D-PAK, LPT/D2-PAK) y de inserción tradicional (p.e.  A-3PF).

International Rectifier (IR) presenta una familia de MOSFET planos homologados para el automóvil y dirigidos a una amplia variedad de aplicaciones en el Motor de Combustión Interna (Internal Combustion Engine, ICE) para plataformas de vehículos híbridos y totalmente eléctricos.

International Rectifier amplía su oferta de encapsulados con la introducción de un encapsulado PQFN de 2 mm x 2 mm que incorpora la tecnología más avanzada de silicio de IR para MOSFET HEXFET^® en una solución ultracompacta, eficiente y de alta densidad dirigida a una amplia variedad de aplicaciones de bajo consumo, como teléfonos móviles avanzados (smartphones), PC de tableta, grabadoras de vídeo, cámaras fotográficas digitales, PC portátiles, servidores y equipamiento para redes de comunicaciones.

International Rectifier (IR) ha ampliado su gama de rectificadores Schottky de alta fiabilidad en conformidad a la Defense Logistics Agency (DLA) Land and Maritime Qualified Products List (QPL) para aplicaciones espaciales como sistemas de alimentación para bus en satélites y fuentes de alimentación para cargas útiles.

International Rectifier, IR® ha anunciado durante el salón profesional Electronica 2010, celebrado en Munich, una familia de dispositivos de 25 V y 30 V que incorporan el silicio más avanzado en MOSFET HEXFET® de IR en un encapsulado PQFN 3 x 3 que ofrece una solución de alta densidad, fiable y eficiente para convertidores CC/CC en aplicaciones de telecomunicaciones, redes de comunicaciones y ordenadores de sobremesa y portátiles de gama alta.

International Rectifier amplía su familia SupIRBuck™ de reguladores de tensión integrados en el punto de carga (POL) para aplicaciones energéticamente eficientes en servidores de altas prestaciones, almacenamiento y redes de comunicaciones.

Vishay Intertechnology, Inc. ha dado a conocer con la denominación Si8800EDB 20-V MICRO FOOT® un MOSFET de potencia canal-N a escala de chip con superficie de 0,8 mm x 0,8 mm y un espesor de 0,357 mm cuyas aplicaciones se dirigen a dispositivos  electrónicos portátiles.