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Actualmemte, los diseñadores de sistemas exigen controladores de puerta con aislamiento que integren funciones como bloqueo Miller Activo y salida de carril a carril para un funcionamiento y una protección fiables de IGBT y MOSFET de potencia, algo especialmente importante en el control de motores e inversores para energías renovables, donde no pueden tolerarse tiempos de parada y las reparaciones son muy caras.
Un bloqueo Miller permite el control de la corriente Miller durante transiciones de salida con un elevado dV/dt. También puede eliminar la necesidad de una fuente de alimentación negativa para garantizar una desconexión segura del IGBT al descargar rápidamente la gran capacidad de puerta del IGBT hasta un bajo nivel sin que ello afecte a las características de corte del IGBT.
Además, los nuevos optoacopladores para control de puerta de Avago presentan la mejor inmunidad frente a transitorios en modo común que existe en el mercado, de 40 kV/µs para una tensión en modo común de 1,5 kV para un funcionamiento fiable en entornos ruidosos.
La función UVLO provoca el bloqueo de la salida siempre que haya una tensión insuficiente de la fuente de alimentación para un funcionamiento seguro. La circuitería de protección de bloqueo por subtensión garantiza que exista la tensión de control de puerta suficiente para conmutar los IGBT completamente a conducción, minimizando así la disipación de potencia en el IGBT. Una vez que la tensión de alimentación supera el umbral positivo de UVLO se libera el bloqueo de UVLO, permitiendo así que el dispositivo se conecte en respuesta a una señal de entrada.
La eficiencia ha sido un objetivo fundamental del diseño en los nuevos controladores de puerta ACPL-H342 y ACPL-K342. Su variación de la tensión de salida entre carril y carril y el reducido tiempo muerto de salida, que son posibles gracias al corto tiempo de propagación, minimizan la disipación en el controlador e incrementan la eficiencia.
El retardo de propagación está especificado para evitar la conducción cruzada de los IGBT en la configuración del IGBT de medio puente en el lado de alto y bajo potencial que se utiliza habitualmente en los inversores de potencia. La diferencia del retardo de propagación entre dos dispositivos es de -10 ns mínimo hasta -200 ns máximo. Se evita así el disparo, lo que elimina un importante estado que daña el IGBT y acorta su vida operativa.
Se suministran encapsulados en SO-8 alargado de 8 terminales conformes a RoHS que son un 40% más pequeños que los encapsulados DIP convencionales de 8 patillas. El rango de temperaturas es de -40 a +105 °C.