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International Rectifier (IR) presenta una familia de MOSFET planos homologados para el automóvil y dirigidos a una amplia variedad de aplicaciones en el Motor de Combustión Interna (Internal Combustion Engine, ICE) para plataformas de vehículos híbridos y totalmente eléctricos.
Entre esta familia de nuevos dispositivos que utilizan la conocida tecnología plana de IR se encuentran los MOSFET de canal N estándar para control de puerta de 55 V y 150 V, así como MOSFET de canal P estándar para control de puerta de -55 V y -100 V indicados para aplicaciones de conmutación en el lado de alto potencial que no necesiten añadir una bomba de carga para el control de puerta. Los MOSFET de canal N para control de puerta con nivel lógico, de 30 V, 55 V y 100 V, simplifican los requisitos para el control de puerta y ayudan a reducir el espacio en la placa así como el número de componentes. Todos los nuevos dispositivos están optimizados para una baja resistencia en conducción (RDS(on)).

Estos dispositivos, homologados según los estándares AEC-Q101, se caracterizan por una lista de materiales respetuosos con el medio ambiente, sin plomo y conformes a RoHS, y forman parte de la iniciativa Zero Defect de IR centrada en el automóvil.

Todos los MOSFET de IR para el automóvil se someten a pruebas dinámicas y estáticas de promediado de dispositivos así como a la inspección visual automatizada de la oblea al 100% dentro de la iniciativa de IR para la calidad en el automóvil que tiene como objetivo lograr cero defectos. La homologación AEC-Q101 exige que no haya una variación superior al 20% de RDS(on) tras 1.000 ciclos de temperatura en pruebas. No obstante, durante las pruebas ampliadas la nueva Lista de Materiales AU de IR ofreció una variación máxima de RDS(on) de tan sólo el 12% para 5.000 ciclos de temperatura, demostrando así la resistencia y la robustez de la Lista de Materiales.

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