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Rohm Semiconductor amplía su línea de MOSFET de alta velocidad de conmutación y  alta resistencia a alto voltaje para circuitos PFC en fuentes de alimentación conmutada y circuitos de interruptor principal. Se encuentran disponibles en variedad de encapsulados tanto en montaje superficial (p.e.  CPT/D-PAK, LPT/D2-PAK) y de inserción tradicional (p.e.  A-3PF).

La nueva serie, hace honor a su nombre PrestoMOS™, ya que cuenta con características de bajo trr (tiempo de recuperación inversa) para la alta velocidad, conmutación de alta velocidad, alta eficiencia y bajas pérdidas, lo que es ideal para la integración de los inversores de suministro de energía, alumbrado, controladores de motor, baterías solares , acondicionadores de potencia, circuitos en derivación  de alta frecuencia y otras  aplicaciones que requieren un funcionamiento de alto rendimiento.

Utilizando tecnología de vanguardia basada en la producción de iones y los nuevos procesos de alta voltaje, la serie PrestoMOS logra valores sorprendentes bajos de resistencia en conducción, mínima Qg  y alta velocidad para una mayor eficiencia del inversor, a lo que hay que añadir la reducción del número de componentes externos. Con su diodo incorporado de alta velocidad trr que elimina la necesidad de un FRD (diodo de recuperación rápida) externo  sólo consume una pequeña área de montaje, ideal para aplicaciones en miniatura. En comparación con los productos convencionales de 600V/8V, no sólo el trr sino también el valor lrr y la pérdida han sido mejorados de forma significativa.

Principales características: mejora de 1trr de alta velocidad de hasta un 80%, mejora de lrr bajo Qg y resistencia en conexión muy reducida. IGBT integrado con FRD para la reducción de los componentes, la miniaturización y la mayor eficiencia.

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