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Como los dispositivos portátiles cada vez son más compactos, el tamaño de los componentes es un parámetro crítico: El Si8800EDB es un 36% más pequeño y un 11% más fino que otros dispositivos  canal-N con encapsulado a escala de chip existentes en el mercado.
El encapsulado a escala de chip del Si8800EDB proporciona una resistencia ppr superficia extremadamente baja.  Ofrece un valor máximo de resistencia-on de 80 mW a 4,5 V, 90 mW a 2,5 V, 105 mW a 1,8 V y 150 mW a 1,5 V.
El Si8800EDB presenta un valor típico de protección contra ESD de 1500 V, es conforme con la directiva RoHS 2002/95/EC y es libre de halógenos en conformidad con la definición IEC 61249-2-21.
Las aplicaciones típicas de este MOSFET se dirigen a teléfonos móviles, PDAs, cámaras digitales, reproductores MP3, entre otros aparatos.