Memorias

SDRAM DDR3 de 9 Gbits en encapsulado PBGA

Microsemi Corporation anuncia un dispositivo de memoria SDRAM DDR3 de 9Gb, el primero de su clase que se suministra en un único encapsulado PBGA (plastic ball grid array) en un doble módulo DIMM (dual in-line memory module) compacto en configuración x72. Esta solución permite que los diseñadores integren hasta 4GByte de memoria en sistemas más pequeños y más rápidos utilizados en aplicaciones de misión crítica.

Memorias FIFO de Cypress con densidades de hasta 72 Mbits

Cypress Semiconductor Corp. anuncia memorias FIFO con densidades de hasta 72 Mbit. Estas nuevas FIFO de alta densidad (HD) de Cypress resultan especialmente indicadas para aplicaciones de vídeo e imágenes que necesiten alta densidad y alta frecuencia para un buffer efectivo.

Memorias nvSRAM de Cypress con interfaces I2C y SPI en densidades de 64 kb a 1 Mb

Cypress Semiconductor Corp. presenta nuevas memorias nvSRAM serie con interfaces I2C y SPI, de uso extendido en aplicaciones de contadores, industria y automoción. Estos nuevos dispositivos ofrecen frecuencias de trabajo de hasta 104MHz para los dispositivos SPI (3,4MHz para los productos I2C) y también se suministran opcionalmente con un reloj en tiempo real (Real-Time Clock, RTC) integrado que permite dar soporte al estampado temporal de datos críticos.

SRAM asíncronas rápidas de 32 Mbit y 64 Mbit

Con fecha 28 de mayo de 2010, Cypress Semiconductor Corp. ha presentado sus SRAM asíncronas rápidas de 32Mbit y 64 Mbit, los primeros dispositivos de este tipo existentes en el mercado. Las nuevas SRAM ofrecen unos tiempos de respuesta muy rápidos y la huella más reducida para estas densidades. Se dirigen a aplicaciones como servidores de almacenamiento, conmutadores y enrutadores, equipamiento de prueba, sistemas de seguridad de gama alta y sistemas militares.

Las SRAM asíncronas rápidas CY7C1071DV33 de 32 Mbit 3V y CY7C1081DV33 de 64 Mbit 3V ofrecen configuraciones de E/S de 16 bit y 8 bit. Las nuevas SRAM de 32 Mbit y 64 Mbit ofrecen unos tiempos de acceso muy rápidos de 12 ns. Están disponibles en encapsulados 48-BGA conformes a RoHS con una huella de 8,0 x 9,5 x 1,2 mm y 8,0 x 9,5 x 1,4 mm, respectivamente, que son las opciones de encapsulado de menor tamaño para estas densidades. La fabricación de las nuevas SRAM asíncronas rápidas se basa en la tecnología CMOS de altas prestaciones C9™ de 90 nm desarrollada por la propia compañía. Cypress es el líder de la industria en SRAM asíncronas rápidas y de bajo consumo, con una oferta que incluye densidades de 4 Kbit a 64 Mbit.

Con motivo de este lanzamiento, Sunil Thamaran, director gerente de la Unidad de Negocio de Memorias Asíncronas en Cypress, manifestó: “La introducción como primicia en el mercado de estas SRAM Rápidas de 32 Mbit y 64 Mbit con huella ultracompacta viene a demostrar nuestro fuerte compromiso con el negocio de las SRAM”.

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Con fecha 28 de mayo de 2010, Cypress Semiconductor Corp. ha presentado sus SRAM asíncronas rápidas de 32Mbit y 64 Mbit, los primeros dispositivos de este tipo existentes en el mercado.