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Memorias

Primeras celdas de memoria flash MONOS con forma de aleta para microcontroladores en nodos de proceso de 16 / 14 nm y más allá

Martes, 27 de Diciembre de 2016 17:42 Carlos Martinez
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Renesas Electronics ha anunciado el desarrollo exitoso de las primeras celdas de memoria SG-MONOS (Split-Gate Metal-Oxide Nitride Oxide Silicon, Nota 2) que emplean transistores con forma de aleta para uso en microcontroladores (MCU) con memoria flash en chip que tienen un ancho de circuito de 16 a 14 nanómetros (nm) o más fino.

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Memoria I2C EERAM con autonomía ilimitada de almacenamiento seguro de datos

Miércoles, 19 de Octubre de 2016 08:52 Carlos Martinez
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memoria microchip eeram wMicrochip anuncia una solución de memoria de bajo coste y bajo riesgo que ofrece una autonomía ilimitada y almacenamiento seguro de datos si falla la alimentación.

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Chip de memoria ultra pequeño de 1 Mbit SPI FRAM de Fujitsu

Martes, 10 de Noviembre de 2015 15:57 Carlos Martinez
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memoria chip okt15 rut fujitsu wRutronik ofrece el nuevo chip de memoria ultra pequeño de Fujitsu de 1Mbit SPI FRAM. Es la solución ideal para aplicaciones miniatura con alimentación crítica para los mercados de sensores y de material portátil.

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Memoria NAND Flash interfaz de serie para aplicaciones embebidas

Lunes, 02 de Noviembre de 2015 17:57 Carlos Martinez
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Toshiba Electronics Europe ha lanzado una nueva línea de productos memoria SLC NAND Flash de 24nm para aplicaciones embebidas compatibles con la interfaz Serial Peripheral (SPI) ampliamente utilizada.

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JEDEC 5.1 presenta la memoria del futuro Memoria e•MMC

Jueves, 01 de Octubre de 2015 09:52 Carlos Martinez
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La última versión JEDEC 5.1 define una serie de características nuevas y mejoradas que serán útiles a los diseñadores de teléfonos inteligentes y otros dispositivos inteligentes.

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Intel y Micron presentan una memoria con mejores rendimientos en PCs, Centros de Datos y más

Miércoles, 05 de Agosto de 2015 18:35 Carlos Martinez
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Intel Corporation y Micron Technology, Inc. han presentado la tecnología 3D XPoint™, una memoria no volátil que tiene el potencial de revolucionar cualquier dispositivo, aplicación o servicio que se beneficie de un rápido acceso a grandes conjuntos de datos.

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Memoria resistente a la radiación Gamma ofrece calibración y protege de la reutilización insalubre de desechables médicos

Lunes, 15 de Junio de 2015 15:05 Carlos Martinez
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Maxim Integrated Products, Inc. hace que sea fácil de calibrar un sensor médico consumible y supervisar o controlar la reutilización insalubre de productos médicos desechables con la memoria no volátil (NV) 1-Wire® DS28E80  resistente a la radiación Gamma.

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Memorias DDR4 que optimizan el rendimiento de videojuegos

Lunes, 18 de Mayo de 2015 10:23 Carlos Martinez
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Crucial lanza sus nuevas memorias DDR4 Ballistix Sport y Ballistix Tactical especialmente concebidas para optimizar el rendimiento de los videojuegos. Estos nuevos módulos para videojuegos combinan un diseño elegante con la potencia de rendimiento de la memoria DDR4, y la fiabilidad que los vdeojugadores (gamers) necesitan para adueñarse de la competición.

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Memoria BiCS de 48 capas

Martes, 31 de Marzo de 2015 17:34 Carlos Martinez
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Toshiba Corporation ha anunciado el desarrollo de la primera memoria flash de 48 capas[1] con estructura de celda apilada de tres dimensiones[2] llamada BiCS, un dispositivo de 128 Gigabits con 2 bits por celda ( 16 gigabytes).

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Memoria flash NOR EV25Q128-EP de 128 Mb con rango de temperatura ampliado

Lunes, 23 de Febrero de 2015 21:57 Carlos Martinez
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e2v Inc. ha anunciado la disponibilidad de las versiones EP (Productos mejorados) de la EV25Q128-EP, memoria flash NOR que cuenta con una interfaz de bus en serie de alta velocidad, compatible con SPI.

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Alliance Memory lanza las nuevas Mobile CMOS DDR SDRAMs de baja potencia y alta velocidad con densidades de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB.

Viernes, 26 de Septiembre de 2014 17:05 administrador
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Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR SDRAM) diseñadas para aumentar la eficiencia y prolongar la vida útil de la batería en dispositivos portátiles compactos. Con un bajo consumo de energía de 1,7 V a 1,95 V y una serie de características de ahorro de energía, los dispositivos de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB se ofrecen en encapsulados 8 mm por 9 mm 60-ball y de 8 mm por 13 mm  90-ball FPBGA.

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Samsung producirá de manera masiva el primer SSD con NAND de 3-bit para Centros de Datos

Martes, 13 de Mayo de 2014 10:30 administrador
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Samsung Electronics, Co., Ltd., ha anunciado la producción en masa de los primeras SSD PM853T con NAND de 3 bit capaces de ofrecer el mejor rendimiento del mercado. Los nuevos SSD permitirán a los centros de datos gestionar mejor las cargas de trabajo relacionado con las redes sociales, buscador web y email, así como mejorar la eficiencia en las operaciones.

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Dispositivo de memoria Flash con acceso paralelo de 64 Mbit basado en la Advanced Process Technology

Martes, 06 de Mayo de 2014 22:14 administrador
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Microchip anuncia un nuevo dispositivo de memoria Flash con acceso paralelo: el SST38VF6401B. El SST38VF6401B es un dispositivo Advanced Multi-Purpose Flash Plus (Advanced MPF+) CMOS de 4M x16 fabricado con la tecnología CMOS SuperFlash® de altas prestaciones de Microchip,

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Microchip lanza una EEPROM SPD de 4Kb para módulos SDRAM DDR4

Lunes, 14 de Abril de 2014 17:39 administrador
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Microchip anuncia una nueva EEPROM SPD (Serial Presence Detect) I2C™ de 4Kb: 34AA04. Este dispositivo está especialmente diseñado para funcionar con la siguiente generación de módulos SDRAM DDR4 (Double Data Rate 4) utilizados en PC y ordenadores portátiles de alta velocidad, además de ofrecer soporte a plataformas DDR2/3 antiguas.

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Samsung produce de manera masiva memorias DDR3 4G con tecnología de procesos de 20 nanómetros

Viernes, 21 de Marzo de 2014 00:15 administrador
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Samsung Electronics Co., Ltd. ha anunciado la producción en masa de las memorias DDR3 más avanzadas, basadas en una nueva tecnología de procesos de 20 nanómetros, y que serán utilizadas en una amplia gama de aplicaciones informáticas.

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Toshiba lanza memoria flash BENANDTM SLC NAND de 24nm 8 GB

Miércoles, 12 de Marzo de 2014 14:24 administrador
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Toshiba Electronics Europe ha ampliado su gama de memoria flash BENANDTM SLC NAND con corrección de errores de 8 bits integrado ( ECC ). El lanzamiento de la nueva BENAND SLC 8Gb 24nm permite a los fabricantes utilizar la última tecnología de 24nm en los dispositivos que se han diseñado para usar NAND 4xnm,

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Componentes DDR2 SDRAM de alta capacidad.

Viernes, 14 de Febrero de 2014 11:34 administrador
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I’M Intelligent Memory, fabricante "fabless" de DRAM ubicado en Hong Kong, entra en el mercado de los componentes de memoria para uso industrial con capacidades hasta los 4 Gigabit por chip.

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DRAM síncrona con CMOS de alta velocidad DRAM con baja densidad de 16 Mb en encapsulado de 50-Pin TSOP II

Martes, 05 de Marzo de 2013 15:03 administrador
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Alliance Memory presenta la nueva DRAM síncrona (SDRAM) con CMOS de alta velocidad con una baja densidad de 16 Mb en encapsulado plástico de 50-pin, 400-mil TSOP II. El AS4C1M16S ofrece un rápido tiempo de acceso reloj de 5,4 ns en un ciclo de reloj de 7 ns, y una rápida tasa de velocidad de reloj de 143 MHz.

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Kingston Technology lanza HyperX Beast, el modulo de memoria con mayor capacidad del mercado

Martes, 12 de Febrero de 2013 09:21 gm2
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Kingston Technology Europe, anunciado el HyperX® Beast, el último lanzamiento de la gama de productos Hyper X que combina las más altas prestaciones con la mayor capacidad disponible en el mercado y compatible con XMP Ready de Intel. Con un llamativo y agresivo diseño de su disipador de calor, HyperX Beast es ideal para jugones, creadores de contenidos, y resto de usuarios que buscan un hardware de alto rendimiento y un diseño innovador.

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Sopesar las opciones para sustituir la memoria flash

Miércoles, 05 de Diciembre de 2012 09:26 gm2
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La memoria flash todavía tiene muy buena salud. Los dispositivos móviles inteligentes del mercado de consumo, tales como tablets y smartphones, están impulsando fuertemente el mercado de las memorias flash y de los semiconductores en general, previéndose que los tablets alcancen una cuota mayor en los próximos años. Según  algunos estudios, el mercado de flash NAND, el tipo más común de memoria flash, tendrá una tasa de crecimiento anual compuesto del 7% entre 2011 y 2015.

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