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Tutorial PCIM: Diseño avanzado de sistema con dispositivos semiconductores de potencia ultrarrápidos Si / SiC / GaN

Jueves, 08 de Febrero de 2018 15:03 Carlos Martinez
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En el ámbito de la fería PCIM que se celebrará del 5 al 7 de Junio del 2018 en Alemania, hay previstos varios tutoriales para que los visitantes se puedan inscribir. Entre ellos hemos destacado este dirigido a ingenieros que diseñan convertidores equipados con semiconductores de potencia rápida como MOSFETs Si / SiC, IGBT y diodos, con conocimientos básicos en dispositivos de potencia y convertidores de potencia.

Temática:

Dispositivos de potencia rápidos / módulos / fiabilidad
- Nuevos desarrollos en dispositivos de potencia rápida (MOSFET SiC / Si, IGBT, dispositivos GaN, diodos de volante libre)
- Diseño del dispositivo, propiedades y aplicaciones adecuadas
- Temas de fiabilidad de (nuevos) dispositivos, gate oxide, Ron dinámico, cosmic ray
- Diseños de módulos de potencia y diseño óptimo para baja inductividad
- Desajuste térmico, estrés térmico, capacidad de ciclado de potencia

Control y protección
- Principios, realizaciones técnicas
- Requisitos especiales del controlador para dispositivos de potencia rápida (Si, SiC, GaN)
- Modos de fallo, detección de fallos

Pérdidas de potencia dependientes de la topología
- convertidor dc / dc
- convertidor dc / ac
- Cargar ciclos
- Cálculo del disipador de calor

Perturbación electromagnética inducida por el dispositivo
- Parasitos
- Oscilaciones en módulos de potencia

Temas especiales de aplicación
Consideración de problemas especiales y preguntas de los participantes, por ejemplo:
- Conexión en paralelo / serie de dispositivos de potencia
- Efectos especiales en topologías ZVS / ZCS
- Problemas especiales relacionados con las nuevas tecnologías de dispositivos
- Resistencia de cortocircuito de los IGBT y los MOSFET de SiC

Enlace a la página oficial

 

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