Nueva estructura de celda de memoria flash semicircular 3D Twin BiCS FLASH
KIOXIA Europe GmbH ha anunciado hoy el desarrollo de la primera [1] estructura de celda de memoria flash de puerta dividida semicircular tridimensional (3D) “Twin BiCS FLASH” utilizando celdas semicirculares de puerta flotante (FG - Floating Gate) especialmente diseñadas.
Twin BiCS FLASH logra una pendiente de programa superior y una ventana de programa / borrado más grande en un tamaño de celda mucho más pequeño en comparación con las celdas circulares CT (Charge Trap) convencionales. Estos atributos hacen que este nuevo diseño de celda sea un candidato prometedor para superar cuatro bits por celda (QLC) para una densidad de memoria significativamente mayor y menos capas de apilamiento. Esta tecnología se anunció en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) celebrada en San Francisco, CA, el 11 de diciembre.
La tecnología de memoria flash 3D ha logrado una alta densidad de bits con un bajo coste por bit al aumentar el número de capas apiladas de celdas, así como al implementar deposición de apilamiento multicapa y grabado de alto índice de aspecto (aspect ratio etching). En los últimos años, a medida que el número de capas de celdas supera las 100, la gestión de las compensaciones entre el control del perfil de grabado, la uniformidad de tamaño y la productividad se está volviendo cada vez más desafiante. Para superar este problema, KIOXIA ha desarrollado un nuevo diseño de celda semicircular dividiendo el electrodo de puerta en la celda circular convencional para reducir el tamaño de la celda en comparación con la celda circular convencional, lo que permite una memoria de mayor densidad en un menor número de capas de celdas.
La puerta de control circular proporciona una ventana de programa más grande con problemas de saturación reducidos en comparación con una puerta plana debido al efecto de curvatura, donde la inyección de portador (carrier) a través del dieléctrico del túnel se mejora mientras se reduce la fuga de electrones al dieléctrico de bloque (BLK). En este diseño de celda de puerta dividida, la puerta de control circular se divide simétricamente en dos puertas semicirculares para aprovechar la fuerte mejora en las dinámica sdel programa / borrado. Como se muestra en la figura 1, la capa de almacenamiento conductivo se emplea para una alta eficiencia de captura de carga junto con los dieléctricos BLK de alto k, logrando una alta relación de acoplamiento para ganar la ventana del programa, así como una fuga de electrones reducida del FG, aliviando así el problema de saturación.
Las características experimentales de programa / borrado en la Fig. 2 revelan que las células FG semicirculares con BLK de alta k muestran ganancias significativas en la pendiente del programa y la ventana de borrado / programa sobre las celdas CT circulares de mayor tamaño. Se espera que las celdas FG semicirculares, que tienen características superiores de programa / borrado, logren distribuciones QLC Vt comparativamente estrechas a un tamaño de celda pequeño. Además, la integración del canal Si low-trap hace posible más de cuatro bits / celda, por ejemplo, PLC (Penta-Level Cell) como se muestra en la Fig. 3. Estos resultados confirman que las celas FG semicirculares son una opción viable para buscar una mayor densidad de bits.
En el futuro, los esfuerzos de investigación y desarrollo de KIOXIA dirigidos a la innovación en memoria flash incluirán el desarrollo continuo de Twin BiCS FLASH y la búsqueda de sus aplicaciones prácticas. En IEDM 2019, KIOXIA también anunció otros seis documentos que destacan las intensas actividades de I + D de la compañía en el área de memoria flash.
Notas:
[1] Fuente: KIOXIA Corporation, al 12 de diciembre de 2019.
Articulos Electrónica Relacionados
- Nuevos plásticos y recubrimien... Los parques eólicos constituyen una forma sostenible, limpia y autóctona de generar energía, tanto en tierra firme como cada vez más frecuentemente en el mar. E...
- Micro drones bioinspirados par... Los vehículos aéreos de tamaño reducido han ganado una preponderancia notable en los últimos años debido a sus potenciales aplicaciones en un sinfín de campos, ...
- El mercado de circuitos integr... Un aumento del 22% previsto por el crecimiento de los sistemas, aumento de ASPs para dispositivos de memoria y lógica. Los sistemas electrónicos q...
- El futuro de la movilidad en e... En el futuro, la movilidad estará determinada por la evolución de la electrónica del automóvil: la iluminación inteligente, c...
- Aprovechar la tecnología cuánt... Componentes metálicos de alta calidad, sin defectos y perfectamente dimensionados. La potencia de la computación cuántica parece destinada a optimizar los proce...
- Electrificación y automatizaci... Los vehículos eléctricos para la minería serán un mercado de 9.000 millones de dólares en 2028. Las compañías A...
- Proyecto de fabricación de con... RS Components (RS), marca de Electrocomponents plc se ha asociado con BARTH® Elektronik GmbH, fabricante de controladores en miniatura, para desarrollar un senc...
- ¿Cambiar a tecnología de bater... Se espera que los vehículos eléctricos incluyan baterías de estado sólido como un enfoque innovador, según el informe de investigación del informe "Solid-State ...
- Primer laboratorio industrial ... El mundo digital y las relaciones comerciales caminan de la mano desde hace más de una década y el nuevo reto al que se enfrentan es conseguir que...
- Fujitsu y el Centro de Cerebro... Fujitsu Limited y el Centro de Cerebros, Mentes y Máquinas (CBMM, siglas en inglés), con sede en el Massachusetts Institute of Technology (MIT), han logrado un ...
- La impresión 3D superará las p... Oportunidades increíbles se acercan junto con tecnologías de prototipado, la impresión en tres dimensiones (3D) va ganando impulso en varias industrias desde la...
- Transistores de color DENIM El silicio todavía representa el material más importante para la producción de elementos semiconductores tales como transistores, diodos o ...