Toshiba Electronics Europe GmbH presenta los modelos SPICE G2 de alta precisión que permiten a los diseñadores simular con mayor fidelidad el rendimiento de sus diseños antes de comprometerse con el hardware. Junto con los modelos SPICE G0 existentes de Toshiba, que hacen hincapié en la velocidad de cálculo por encima de la precisión, ahora se puede acceder a la nueva gama de modelos SPICE G2 para simular las características transitorias con mayor precisión.

La simulación es una herramienta muy valiosa para los diseñadores, ya que reduce el número de prototipos necesarios, ahorrando la necesidad de repeticiones, aumentando así la eficiencia del desarrollo y reduciendo el tiempo, el coste y el riesgo generales.

En el exigente mundo de la electrónica de potencia y el diseño de automóviles existe una fuerte demanda de predicciones preliminares del rendimiento de la EMI y la disipación de energía de todo el sistema. Esto lleva a una creciente demanda de modelos SPICE para semiconductores de potencia que puedan predecir las eficiencias de conversión de potencia, EMI y otros parámetros relevantes.

Estos nuevos modelos SPICE G2 para dispositivos de potencia discretos se crean utilizando el formato de modelo macro, que combina múltiples modelos compactos para ajustarse a la estructura del dispositivo, representando las características eléctricas con unos pocos elementos no lineales y una función arbitraria continua. Con este enfoque, las simulaciones de conmutación son más precisas y se acercan más a las mediciones reales al mejorar la reproducibilidad de las características del dominio de alta corriente de la curva ID-VDS, incluidas las características dependientes de la tensión de la capacitancia parásita.

Disponibles en el sitio web de Toshiba, los modelos G2 cubren los MOSFET de baja tensión (12V-300V) y los MOSFET de media y alta tensión (400V a 900V). Hay versiones disponibles para PSpice y LTSpice.

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