Unidades flash embebidas iAND 8251 de SanDisk
Mouser Electronics, Inc. está distribuyendo unidades flash embebidas (EFD) iNAND® 8521 de SanDisk. Construidos con tecnología 3D NAND y la rápida interfaz UFS 2.1, las EFDs iNAND 8521 ofrecen excelente rendimiento de lectura y escritura, ofreciendo una solución de almacenamiento para la mayoría de los dispositivos móviles con uso intensivo de datos, así como dispositivos de computación delgados y livianos.
SanDisk iNAND 8521 EFDs, disponibles de Mouser Electronics, son soluciones de almacenamiento de 11.5 × 13 × 1.0 mm basadas en la última tecnología 3D NAND de SanDisk. Con una rápida interfaz de dos líneas UFS 2.1 Gear 3, los EFD proporcionan integración plug-and-play eficiente en consumo para dispositivos con aplicaciones exigentes centradas en datos. Las unidades ofrecen un rendimiento de escritura excepcional, con hasta 500 MBytes por segundo (MBps) de velocidad de escritura secuencial y 45K operaciones de entrada / salida por segundo (IOP) de velocidad de escritura aleatoria para una rápida transferencia de archivos y descarga de contenido. La arquitectura optimizada del controlador de los dispositivos permite un rendimiento de lectura mejorado, proporcionando una lectura secuencial de 800 MBps y una velocidad de lectura aleatoria de 50K IOP, lo que da como resultado un arranque rápido del sistema y el inicio de aplicaciones.
Con capacidades de 32 GBytes a 256 GBytes en un formato pequeño, SanDisk iNAND 8521 EFDs permite escalabilidad y flexibilidad de diseño en aplicaciones basadas en datos como realidad aumentada (AR), captura de video de alta resolución, experiencias ricas en redes sociales, inteligencia artificial (AI) y dispositivos “edge” para Internet de las cosas (IoT).
Articulos Electrónica Relacionados
- Resistencias Bourns de detecci... Ya están disponibles en Europa a través de TTI, Inc. las resistencias de detección de corriente de alta potencia de la serie CSS de Bourns. Los dispositivos vie...
- Transistores HEMT CoolGaN para... Mouser Electronics, Inc. está almacenando los transistores HEMT de nitruro de galio (GaN) CoolGaN ™ de Infineon Technologies. Con transistores de alta movilidad...
- Kingston Technology lanza Hype... Kingston Technology Europe, anunciado el HyperX® Beast, el último lanzamiento de la gama de productos Hyper X que combina las más altas prestaciones con la mayo...
- Memoria flash NOR EV25Q128-EP ... e2v Inc. ha anunciado la disponibilidad de las versiones EP (Productos mejorados) de la EV25Q128-EP, memoria flash NOR que cuenta con una interfaz de bus en ser...
- Osciladores MEMS Microchip DSC... Mouser Electronics, Inc. distribuye la familia DSC6000 de osciladores MEMS de Microchip Technology. Los ultra-pequeños osciladores de ultra-baja potencia...
- Dispositivos de memoria flash ... Toshiba Memory Europe GmbH (TME) ha comenzado a mandar muestras de la versión de 128GB de almacenamiento flash universal (UFS) Ver.3.0 de la industria de...
- Familia MOSFET de potencia PQF... International Rectifier, IR® ha anunciado durante el salón profesional Electronica 2010, celebrado en Munich, una familia de dispositivos de 25 V y 30 V que inc...
- Memorias FIFO de Cypress con d... Cypress Semiconductor Corp. anuncia memorias FIFO con densidades de hasta 72 Mbit. Estas nuevas FIFO de alta densidad (HD) de Cypress resultan especialmente ind...
- Dispositivos de memoria flash ... KIOXIA Europe GmbH ha anunciado el muestreo de su última generación de dispositivos de memoria flash integrada de almacenamiento flash universal (UFS por sus si...
- Displays electroforéticos bies... Monolitic anuncia que su distribuida Powertip dispone de una nueva línea de producción de displays electroforéticos (EPD) de matriz pasiva. La principal caracte...
- Primeras celdas de memoria fla... Renesas Electronics ha anunciado el desarrollo exitoso de las primeras celdas de memoria SG-MONOS (Split-Gate Metal-Oxide Nitride Oxide Silicon, Nota 2) que emp...
- Mosfets de potencia dobles par... International Rectifier (IR) amplía su oferta de PQFN con un encapsulado PQFN de 2 mm x 2 mm y un PQFN de 3,3 mm x 3,3 mm. Los nuevos encapsulados integran dos ...