MOSFET Nch de baja resistencia en conducción de ROHM
ROHM ha desarrollado MOSFET Nch (40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) de las series RS6xxxxBx / RH6xxxxBx, 13 números de artículo, adecuados para aplicaciones que funcionan en fuentes de alimentación de 24 V/36 V/48 V como estaciones base, servidores y motores para equipos industriales y de consumo.
En los últimos años, el consumo mundial de energía ha ido constantemente en aumento, lo que ha impulsado la necesidad de que los equipos industriales, como servidores y estaciones base, junto con los distintos motores, aumenten también su eficiencia. En algunas de estas aplicaciones que utilizan los MOSFET de media tensión, empleados en toda una variedad de circuitos, los fabricantes exigen que las pérdidas de potencia sean incluso menores. Sin embargo, los MOSFET generales se caracterizan por dos parámetros principales causantes de las pérdidas de potencia: resistencia en conducción (RDS(on)), que es inversamente proporcional al tamaño del chip, y la carga de compuerta-drenaje (Qgd), que aumenta proporcionalmente con el tamaño del chip, por lo que resulta difícil conseguir ambas combinadamente. ROHM ha mejorado la relación entre ambas adoptando conexiones de clip de cobre y mejorando la estructura de la compuerta.
Los nuevos MOSFET alcanzan una RDS(on) líder del sector de 2,1 mΩ —aproximadamente un 50 % inferior a la convencional— al aumentar el rendimiento del dispositivo y al adoptar el encapsulado HSOP8/HSMT8 que presenta conexiones de clip de cobre de baja resistencia. Además, la mejora de la estructura de compuerta del elemento reduce la Qgd, que generalmente está en una relación de compensación con la RDS(on), en aprox. un 40 % frente a los productos convencionales (comparando los valores típicos de RDS(on) y Qgd para productos de encapsulado HSOP8 de 60 V). Estas mejoras reducen tanto las pérdidas por conmutación como las pérdidas por conducción, lo que contribuye en gran medida a aumentar la eficiencia de las aplicaciones.
Por ejemplo, al comparar la eficiencia de una placa de evaluación de fuentes de alimentación para equipos industriales, los nuevos productos de ROHM alcanzan una eficiencia líder en la industria de aproximadamente el 95 % (pico) en el rango de corriente de salida durante el funcionamiento en estado continuo.
En el futuro, ROHM seguirá desarrollando MOSFET con una RDS(on) incluso menor que reduzcan el consumo de energía en diversas aplicaciones, y seguirá contribuyendo así a resolver problemas sociales como la protección del medio ambiente mediante el ahorro de energía.
Gama de productos
Ejemplos de aplicación
Fuentes de alimentación para servidores y estaciones base de comunicación
Motores para productos industriales y de consumo
También aptos para una gran variedad de circuitos de fuente de alimentación y dispositivos equipados con motor
Articulos Electrónica Relacionados
- Semiconductores orgánicos: eco... Lucas Viani (Ribeirão Preto, Brazil, 1983) investiga sobre semiconductores orgánicos en el Instituto Universitario sobre Modelización y Simulación en Fluidodiná...
- Función Tx-Boost™ de Cypress p... Para sus controladores de pantalla táctil TrueTouch® de 4ª generación (Gen4), Cypress Semiconductor Corp anuncia una nueva función que mejora enorme...
- MOSFET super-junction de 600 V... ROHM ha añadido tres nuevos modelos, la serie R60xxRNx, a su gama PrestoMOS™ de MOSFET super-junction de 600 V. Estos dispositivos están optimizados para accion...
- Fotoacopladores de bajo perfil... Toshiba Electronics Europe (TEE) ha lanzado una serie fotoacopladores de salida de control de puerta de bajo perfil rail a rail para controlar directament...
- SoC Renesas DA14592 BLE 5.2 pa... Mouser ya tiene en stock el sistema en chip (SoC, por sus siglas en inglés) DA14592 Bluetooth® Low-Energy (BLE) 5.2 con flash integrado de Renesas Electronics. ...
- Controlador Hot Swap de superv... Linear Technology Corporation presenta el LTC4282, un controlador Hot Swap de supervisión energética con drive MOSFET dual para habilitar dise&nti...
- MOSFETs SiC de 1200V de Toshib... Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado cinco MOSFETs de carburo de silicio (SiC) de 1200V que aprovechan la tecnología SiC de tercera generación...
- Pila de protocolo CANopen para... Renesas Electronics Europe y port GmbH han anunciado la disponibilidad de una pila de protocolo CANopen altamente eficiente para los MCUs RX231 smart de 32 de R...
- Aplicación de un planteamiento... El proceso de encender los diversos rieles de tensión que acompañan a los sistemas en chip (SoC), las matrices de compuertas programables en campo...
- Amplificador de aislamiento op... Toshiba Electronics Europe ha anunciado un par de nuevos optoacopladores para detección de corriente y detección de tensión en convertidores de potencia. Logran...
- EBV Elektronik, Infineon y Dat... EBV Elektronik, una compañía de Avnet, está colaborando con Infineon Technologies AG y Data I / O para habilitar soluciones de autenticaci&...
- MPLAB® SiC Power Simulator par... La electrificación generalizada está impulsando el crecimiento de los semiconductores de SiC mientras grandes segmentos del mercado como la electromovilidad, la...