Geoff West, Executive Vice President und Chief Procurement Officer von STMicroelectronics, kommentierte: „Diese erweiterte Vereinbarung mit SiCrystal wird zusätzliche Mengen an 150-mm-SiC-Substratwafern bereitstellen, um die erhöhte Fertigungskapazität für unsere Bauelemente für Industrie- und Automobilkunden weltweit zu unterstützen. Sie trägt dazu bei, die Widerstandsfähigkeit unserer Lieferkette für zukünftiges Wachstum zu stärken, mit einem ausgewogenen Mix aus proprietären und kommerziellen Lieferungen in allen Regionen.“
„SiCrystal ist ein Unternehmen der ROHM-Gruppe, ein führender Anbieter von SiC, und fertigt seit vielen Jahren SiC-Substratwafer. Wir freuen uns sehr über die Verlängerung des Liefervertrags mit unserem langjährigen Kunden ST. Wir werden unseren Partner weiterhin beim Ausbau seines SiC-Geschäfts unterstützen, indem wir die Mengen an 150-mm-SiC-Substratwafern kontinuierlich erhöhen und stets zuverlässige Qualität liefern“, erklärte Dr. Robert Eckstein, Präsident und CEO von SiCrystal, einem Unternehmen der ROHM-Gruppe.
Energieeffiziente SiC-Leistungshalbleiter ermöglichen eine nachhaltigere Elektrifizierung der Automobil- und Industriebranche. Durch die Förderung effizienterer Energieerzeugung, -verteilung und -speicherung unterstützt SiC den Übergang zu saubereren Mobilitätslösungen, emissionsärmeren Industrieprozessen und einer grüneren Energiezukunft sowie zuverlässigere Energiequellen für ressourcenintensive Infrastrukturen wie Rechenzentren für KI-Anwendungen.
