Renesas Electronics a lancé le TP65H020G4PLSGBD, un dispositif GaN de 650 V développé pour les systèmes de conversion de puissance haute densité utilisés dans les architectures HVDC 800 V pour les centres de données d'intelligence artificielle.
ROHM a développé le RS4P063BPHZG, un MOSFET 100 V optimisé pour les fonctions de sécurité et les circuits de protection automobiles. Ce nouveau produit offre une zone de fonctionnement sûre (SOA) exceptionnellement large* sur une vaste plage de tensions, dans un boîtier standard HPLF5060 (taille 5060) largement utilisé dans les applications automobiles.
ROHM a développé des IGBT 650 V de 4e génération, idéaux pour les compresseurs électriques et les éléments chauffants haute tension du secteur automobile, ainsi que pour les onduleurs des équipements industriels. Ces produits de classe 650 V de qualité automobile,
ROHM a développé une nouvelle gamme de MOSFET superconnectés 600 V, les séries R60xxXNx et R60xxWNx. Dans les secteurs des centres de données et des équipements industriels, la demande en énergie ne cesse de croître avec l'augmentation des charges de traitement, ce qui engendre une forte demande d'alimentations plus efficaces afin de réduire la consommation d'énergie et la production de chaleur.
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé le TPM1R408RH, un MOSFET de puissance canal N de 80 V basé sur la toute dernière technologie de procédé U-MOS11-H de l'entreprise. Conçu pour les alimentations à découpage industrielles à haut rendement destinées aux équipements de centres de données et aux stations de base de communication,
Les systèmes de synchronisation des engins spatiaux doivent fournir des signaux extrêmement stables et précis aux instruments de navigation, de communication et scientifiques, même lorsque les signaux GNSS sont faibles ou indisponibles.
NOVOSENSE Microelectronics a annoncé le lancement de la série SP301H/L, une famille d'isolateurs numériques à trois canaux basée sur sa technologie d'isolation capacitive brevetée de troisième génération.
Navitas Semiconductor a annoncé le lancement de son nouveau boîtier UHV-TO-247-4-ISO, établissant une nouvelle référence pour les composants de puissance discrets hautes performances. Avec une distance de fuite de plus de 12 mm entre les broches et une isolation intégrée supérieure à 6 000 V,
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé sur le marché deux isolateurs numériques standard compacts, à quatre canaux, à vitesse moyenne et à faible consommation, destinés aux équipements industriels et à l'électronique grand public.
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a élargi sa gamme de MOSFET de puissance à canal N avec le lancement de neuf nouveaux composants dans trois types de petits boîtiers à dissipation thermique élevée.
Vishay Intertechnology, Inc. a enrichi sa plateforme Gen 7 de redresseurs ultrarapides FRED Pt® 1200 V avec six nouveaux dispositifs de la série eSMP® en boîtier SMPC HV. Optimisés pour les applications industrielles, automobiles et de puissance, les redresseurs 1 A, 2 A et 3 A offrent un équilibre optimal entre la charge de récupération inverse (Qrr) et la puissance
ROHM a développé la série AG16xFNxx, une gamme de MOSFET de puissance 80 V conçus pour les systèmes électriques 48 V, de plus en plus utilisés dans l'automobile. Dans ce secteur, la demande en puissance est croissante, notamment pour les véhicules haut de gamme.
Renesas Electronics a lancé le TP65H020G4PLSGBD, un dispositif GaN de 650 V développé pour les systèmes de conversion de puissance haute densité utilisés dans les architectures HVDC 800 V pour les centres de données d'intelligence artificielle.
ROHM a développé le RS4P063BPHZG, un MOSFET 100 V optimisé pour les fonctions de sécurité et les circuits de protection automobiles. Ce nouveau produit offre une zone de fonctionnement sûre (SOA) exceptionnellement large* sur une vaste plage de tensions, dans un boîtier standard HPLF5060.
ROHM a développé des IGBT 650 V de 4e génération, idéaux pour les compresseurs électriques et les éléments chauffants haute tension du secteur automobile, ainsi que pour les onduleurs des équipements industriels. Ces produits de classe 650 V de qualité automobile,
ROHM a développé une nouvelle gamme de MOSFET superconnectés 600 V, les séries R60xxXNx et R60xxWNx. Dans les secteurs des centres de données et des équipements industriels, la demande en énergie ne cesse de croître avec l'augmentation des charges de traitement, ce qui engendre une forte….
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé le TPM1R408RH, un MOSFET de puissance canal N 80 V basé sur la toute dernière technologie de gravure U-MOS11-H de l’entreprise. Conçu pour les alimentations à découpage industrielles à haut rendement destinées aux équipements de centres de données….
Les systèmes de synchronisation des engins spatiaux doivent fournir des signaux extrêmement stables et précis aux instruments de navigation, de communication et scientifiques, même lorsque les signaux GNSS sont faibles ou indisponibles.
NOVOSENSE Microelectronics a annoncé le lancement de la série SP301H/L, une famille d'isolateurs numériques à trois canaux basée sur sa technologie d'isolation capacitive brevetée de troisième génération.
Navitas Semiconductor a annoncé le lancement de son nouveau boîtier UHV-TO-247-4-ISO, établissant une nouvelle référence pour les composants de puissance discrets hautes performances. Avec une distance de fuite de plus de 12 mm entre les broches et une isolation intégrée supérieure à 6 000 V,
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé sur le marché deux isolateurs numériques standard compacts, à quatre canaux, à vitesse moyenne et à faible consommation, destinés aux équipements industriels et à l'électronique grand public.
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