GaN — это полупроводниковая технология нового поколения, набирающая популярность благодаря своей способности обеспечивать превосходные характеристики по сравнению с традиционными кремниевыми полупроводниками, одновременно снижая энергопотребление и физические размеры, необходимые для достижения этих характеристик. Она работает до 20 раз быстрее, чем кремний, и может также обеспечивать в три раза более высокую скорость обработки или зарядки, наряду с преимуществами в размерах, что потенциально может привести к снижению стоимости системы на 20% для разработчиков, инженеров и архитекторов силовых систем.

Силовые микросхемы GaNFast™ от Navitas с технологией GaNSense™ объединяют возможности питания, управления и контроля, а также автономную защиту и измерение тока без потерь, обеспечивая энергоэффективность, минимальные размеры и самую высокую скорость преобразования энергии. Новейшее семейство полумостовых микросхем GaNSense от компании предлагает полностью интегрированное решение на основе одного компонента, позволяющее источникам питания переменного/постоянного тока достигать частот переключения в МГц в широком диапазоне приложений с мягким переключением.