Продукция Alliance Memory обеспечивает надежную, совместимую по выводам замену для целого ряда совместимых и эквивалентных решений в промышленной, автомобильной, медицинской, коммуникационной, телекоммуникационной и бытовой электронике. Ассортимент SRAM включает в себя полный спектр быстродействующих асинхронных устройств с напряжением 3,3 В и 5 В, синхронных SRAM и маломощных SRAM, которые используются с DSP, микроконтроллерами и многими другими интегральными схемами.

Компания DRAM Alliance Memory предлагает высокоскоростную синхронную CMOS-память (SDRAM), включая маломощную DDR2 (DDR2), маломощную DDR2, DDR3 SDRAM и маломощную мобильную DDR3 (LPDDR3). Их продукция доступна в широком диапазоне плотностей, конфигураций, вариантов корпусов и температурных режимов, включая автомобильные диапазоны температур от -40°C до +105°C. В их каталоге также представлены несколько устаревших устройств от Micron Technology, включая 512-мегабитные SDRAM в 54-контактных корпусах TSOP II и 64-мегабитные, 128-мегабитные, 256-мегабитные и 512-мегабитные SDR-памяти с выводами (Pb); 256-мегабитные и 512-мегабитные DDR SDRAM; и 2-гигабитные DDR2 SDRAM.

«Компания ISMOSYS имеет офисы по всему региону EMEA, что позволяет ей предлагать более персонализированное обслуживание и непревзойденную поддержку на каждом рынке», — сказала Сью Маседо, управляющий директор Alliance Memory в регионе EMEA. «Это стало ключевым фактором успеха компании в представлении наших решений в Италии и позволило ISMOSYS идеально позиционировать себя для удовлетворения потребностей нашей растущей клиентской базы в Испании, Португалии и Турции».

«Предложение решений Alliance Memory в Италии позволило нам обеспечить нашим клиентам непрерывные и оптимальные поставки снятых с производства компонентов, что дало им возможность избежать дорогостоящих переделок», — сказал Роберто Бланко, региональный директор ISMOSYS по Южной и Западной Европе. «Мы с нетерпением ждем расширения нашего партнерства с компанией и распространения этих преимуществ на другие рынки EMEA».

Более подробная информация