Международное энергетическое агентство прогнозирует, что потребление энергии центрами обработки данных удвоится к 2030 году[1], что делает повышение энергоэффективности критически важной задачей. Прогнозируется, что рынок силовых полупроводников для центров обработки данных будет расти со среднегодовым темпом роста (CAGR) в 11,0%, достигнув к 2032 году объема мировых продаж в 4,29 млрд долларов США[2], в то время как ResearchandMarkets.com прогнозирует, что рынок тяговых инверторов для электромобилей (EV) будет расти со среднегодовым темпом роста в 16,1% и достигнет объема мировых продаж в 67,6 млрд долларов США к 2034 году [3].
Это новое долгосрочное сотрудничество позволит NXP разрабатывать системные решения на основе нитрида галлия (GaN), используя передовые продукты CGD на основе GaN, ранний доступ к разработкам CGD в области GaN следующего поколения, а также обширный опыт команды в области процессов и технологий GaN. В то же время CGD получит выгоду от доступа к широкому портфелю процессоров и аналоговых продуктов NXP, ее системной экспертизе и глобальному коммерческому охвату, что ускорит проникновение на рынок за счет оптимизированных системных решений.
Фабио Некко | Управляющий директор CGD:
«Тесно сотрудничая с NXP, мы ускоряем переход к новому классу силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN). Это сотрудничество предполагает использование преимуществ GaN для повышения эффективности, удельной мощности и надежности в реальных системах центров обработки данных и автомобильной промышленности, где производительность, стоимость и экологичность теперь должны идти рука об руку».
Крис Бретц | Вице-президент по передовым системам электропитания, NXP
: «CGD сочетает передовые инновации в области GaN с практичными и масштабируемыми решениями в области электропитания, обеспечивая превосходную надежность, отказоустойчивость и производительность на системном уровне. Благодаря глубокой экспертизе в области устройств и обширным техническим знаниям, CGD является идеальным долгосрочным партнером для NXP в ускорении внедрения высокоэффективных GaN-технологий на быстрорастущих рынках».
Полупроводники на основе нитрида галлия (GaN) позволяют осуществлять переключение на более высоких частотах и достигать большей эффективности по сравнению с конкурирующими технологиями.
Быстрый рост энергопотребления в центрах обработки данных во многом обусловлен растущим использованием искусственного интеллекта. В 2022 году одна стойка могла потреблять всего 40 кВт, но сегодня она может потреблять 200 кВт и более, а к 2030 году ожидается, что одна стойка будет потреблять 1 МВт и более. Увеличение плотности вычислительных ресурсов и современные архитектуры питания предъявляют жесткие требования к плотности мощности и необходимости обеспечения высоких коэффициентов понижения напряжения при сохранении энергоэффективности. Технология ICeGaN обладает уникальными возможностями для удовлетворения этих требований, поскольку она обеспечивает более высокие частоты переключения, большую плотность мощности и превосходную надежность по сравнению с дискретными решениями на основе GaN.
В автомобильных тяговых инверторах GaN может повысить эффективность при низкой нагрузке. Технология ICeGaN от CGD — единственная однокристальная технология на основе GaN, которая работает со стандартным контроллером и позволяет параллельно подключать несколько устройств для удовлетворения требований к высоким токам тяговых инверторов.
Интеллектуальная собственность и взаимодополняющие навыки обеих компаний позволят им предлагать клиентам, изучающим преимущества GaN-устройств на этих двух важных рынках, решения системного уровня с уникальными отличительными особенностями.
[1] Международное энергетическое агентство (МЭА) (2025), Энергетика и ИИ, МЭА, Париж https://www.iea.org/reports/energy-and-ai, Лицензия: CC BY 4.0
[2] Отчет о размере, доле и росте рынка силовых полупроводников для центров обработки данных до 2032 года
[3] ResearchandMarkets.com (2025), Прогноз рынка тяговых инверторов на 2025-2034 годы: анализ доли рынка и роста по типу привода (аккумуляторные электромобили (BEV), гибридные электромобили (HEV), подключаемые гибридные электромобили (PHEV), другие типы привода), по технологии и по типу транспортного средства.
