Лицензия распространяется на технологии GeneSiC при напряжениях 1200 В, 2300 В, 3300 В и выше, что позволяет компании Magnachip использовать проверенные платформы SiC-устройств Navitas для приложений преобразования энергии следующего поколения.
Компания Magnachip также получит доступ к цепочке поставок SiC и экосистеме материалов Navitas, что ускорит выход на рынок. Одновременно с этим, технология будет адаптирована, сертифицирована и интегрирована на заводе Magnachip в Южной Корее. Компании ожидают, что такой подход ускорит выход Magnachip на рынок SiC, сохраняя при этом преемственность с устоявшейся технологической и материальной базой Navitas. Ожидается, что лицензированные технологии будут поддерживать приложения следующего поколения, включая энергетическую и сетевую инфраструктуру, системы хранения энергии, промышленную электрификацию, автомобильную промышленность и другие мощные системы.
Компании также заявили, что соглашение предусматривает более широкое сотрудничество, выходящее за рамки SiC. Дополнительные области сотрудничества, как ожидается, будут подробно описаны и объявлены позднее.
«Это стратегическое сотрудничество с Magnachip отражает наше долгосрочное видение расширения применения GeneSiC на рынках высоковольтной и сверхвысоковольтной энергетики», — сказал Крис Аллександр, президент и генеральный директор Navitas. «Лицензируя наши проверенные технологии GeneSiC и поддерживая Magnachip через нашу цепочку поставок и экосистему материалов, мы прокладываем путь к более быстрому масштабированию передовых решений на основе SiC, а также способствуем более глубокому и долгосрочному сотрудничеству между нашими компаниями».
«Это соглашение открывает для Magnachip значительные новые рыночные возможности в сегменте высоковольтных и сверхвысоковольтных SiC-транзисторов», — заявила Чэ Ли, генеральный директор Magnachip. «Добавление технологии GeneSiC дополняет наш существующий портфель MOSFET-транзисторов и силовых полупроводников и позволяет Magnachip обслуживать клиентов, которым требуются более высокая эффективность, более высокая пропускная способность по напряжению и более надежные решения для преобразования энергии».
