Таким образом, можно использовать любую стандартную микросхему драйвера. Микросхема драйвера PFC Inventchip IVCC1104 типа «тотемный столб» также проста в использовании и не требует программирования. Она обеспечивает оптимизированное управление переходом через ноль переменного тока, низкий коэффициент нелинейных искажений (THD) и высокую устойчивость к помехам переменного тока.

ДИ ЧЕН | ДИРЕКТОР ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ МАРКЕТИНГУ И РАЗВИТИЮ БИЗНЕСА, CGD

«Компания Inventchip разработала эталонную схему TPPFC мощностью 2,5 кВт, основанную на контроллере и драйверах затвора с использованием SiC MOSFET в корпусе TO-247. Для оценки производительности GaN компания Inventchip разработала плату-адаптер TO-247 с использованием наших интегральных схем ICeGaN P2 25 мОм, и конструкция ICeGaN работает безупречно без каких-либо модификаций схемы. ICeGaN значительно сокращает время обучения и позволяет инженерам быстрее выводить новые продукты на рынок».

 

Д-р Чжун Е | Технический директор, Inventchip

«Используя плату-адаптер TO247-4 для пайки устройства ICeGaN в корпусе DFN для быстрого тестирования на нашей оценочной плате, несмотря на относительно длинный путь управления затвором и расширенную управляющую силовую дорожку, плата успешно включилась с первой попытки с чистой формой сигнала переключения. Никаких аномалий или спонтанных срабатываний не наблюдалось ни в режиме холостого хода, ни в режиме полной нагрузки. Характеристики GaN очень впечатляют. Устройство CGD GaN оказалось очень устойчивым к помехам, простым в использовании и высокоэффективным».


После демонстрации своей эффективности и плотности мощности в маломощных зарядных устройствах, GaN находит применение у производителей источников питания для серверов и центров обработки данных, инверторов, промышленных DC/DC-преобразователей и драйверов светодиодов. Ожидается, что вскоре GaN будет использоваться и в инверторах для электромобилей мощностью более 100 кВт. Технология ICeGaN особенно хорошо подходит для более высоких уровней мощности благодаря своей доказанной надежности и отказоустойчивости.

Более подробная информация