Благодаря улучшению показателя качества (FoM) отношения сопротивления затвор-сток x квантовый центр тяжести (RDS(on) x QGD) более чем на 80%, новейшая технология SiC от Toshiba повышает производительность управления и переключения в топологиях преобразования энергии.

Кроме того, новые устройства содержат встроенный диод Шоттки (SBD), зарекомендовавший себя в предыдущем поколении. Интегрированный SBD повышает надежность SiC MOSFET, преодолевая внутренние паразитные эффекты и поддерживая стабильное сопротивление RDS(on) устройства.

Кроме того, изделия обладают широким диапазоном напряжения затвор-исток, от -10 В до 25 В, что повышает гибкость работы в различных схемных решениях и условиях применения. Диапазон порогового напряжения затвора (VGS(th)) от 3,0 В до 5,0 В обеспечивает предсказуемые характеристики переключения с минимальным дрейфом и упрощает проектирование драйвера затвора.

В продажу поступили SiC MOSFET-транзисторы третьего поколения: TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C и TW140N120C. Значения сопротивления RDS(on) этих устройств составляют от 15 мОм до 140 мОм (типичное значение при VGS = 18 В), а ток стока — от 20 А до 100 А (постоянный ток при TC = 25 °C).

Все устройства находятся в серийном производстве и готовы к заказу у дистрибьюторов в стандартном силовом корпусе TO-247.