Новое устройство сочетает в себе сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON)) с высокой скоростью переключения, что помогает разработчикам повысить эффективность системы и снизить потери мощности.
По сравнению с TPM1R908QM, 80-вольтовым продуктом, изготовленным с использованием U-MOS XH-процесса предыдущего поколения, TPM1R408RH обеспечивает примерно на 26% меньшее сопротивление RDS(ON) — 1,4 мОм (макс.) — при напряжении затвор-исток (VGS) 10 В и токе стока (ID) 50 А, что помогает минимизировать потери проводимости в требовательных силовых схемах.
Для дальнейшего повышения эффективности новый MOSFET оптимизирует баланс между сопротивлением RDS(ON) и общим зарядом затвора (Qg), достигая 80 нКл. Коэффициент качества (FOM) [RDS(ON) × Qg] примерно на 45% ниже (1,4 мОм × 80 нКл = 112 мОм·нКл) по сравнению с TPM1R908QM (1,9 мОм × 108 нКл = 205,2 мОм·нКл). Эти характеристики снижают потери при переключении и подавляют скачки напряжения, возникающие между стоком и истоком во время переключения, что помогает уменьшить электромагнитные помехи (ЭМП) и обеспечивает высокоскоростное переключение в импульсных источниках питания (SMPS).
Микросхема TPM1R408RH поддерживает напряжение сток-исток 80 В и максимальный ток стока (ID) 288 А (Tc = 25 °C), что делает её подходящей для сильноточных промышленных применений. Устройство выпускается в компактном корпусе SOP Advance(E) от Toshiba, который снижает сопротивление корпуса примерно на 65% и тепловое сопротивление примерно на 15% по сравнению с существующим корпусом SOP Advance(N), что позволяет создавать более компактные системы.
Компания Toshiba также предлагает инструменты, упрощающие проектирование схем импульсных источников питания. В дополнение к модели SPICE G0, которая быстро проверяет работу схемы, модели SPICE G2 , которые точно воспроизводят переходные характеристики.
Компания Toshiba продолжит расширять свой ассортимент силовых MOSFET-транзисторов, повышающих эффективность источников питания и, таким образом, способствующих снижению энергопотребления оборудования.
