Безопасность литий-ионных батарей повышается за счет надежных защитных цепей, которые минимизируют выделение тепла во время зарядки и разрядки. Для достижения требуемой производительности зарядки эти цепи должны иметь низкое энергопотребление. Учитывая компактность таких решений, подходящие MOSFET-транзисторы должны быть небольшими и тонкими, а также обладать низким сопротивлением перехода.
Новый 20-амперный SSM14N956L разработан для напряжения исток-исток 12 В (VSSS) и использует микропроцессор Toshiba, как и ранее выпущенный 13,5-амперный SSM10N954L. Это обеспечивает превосходные характеристики низкого сопротивления включения (RSS(ON)), всего 1 мОм, что ограничивает потери проводимости. Кроме того, технологический процесс обеспечивает низкий ток утечки затвор-исток (IGSS) ±1 мкА (макс.), что позволяет снизить энергопотребление в режиме ожидания. В совокупности эти характеристики обеспечивают увеличенное время работы от батареи между зарядками.
Чтобы уместиться в ограниченном пространстве, доступном в этих приложениях, новый SSM14N956L разработан в корпусе микросхемного размера, известном как TCSPED-302701. Его размеры составляют всего 2,74 мм x 3,0 мм, а типичная высота — всего 0,085 мм.
