Транзисторы GS-065-060 представляют собой силовые транзисторы с режимом обогащения на 650 В и простыми требованиями к управлению затвором в диапазоне от 0 В до 6 В. Эти транзисторы отличаются высокой частотой переключения более 10 МГц, быстрым и контролируемым временем нарастания и спада. Они размещены в корпусе GaNPX® с низкой индуктивностью и низким тепловым сопротивлением. Транзисторы также обладают возможностью обратной проводимости и нулевыми потерями при обратном восстановлении, обеспечивая эффективную работу в требовательных мощных приложениях. Транзисторы GS-065-060 имеют две контактные площадки затвора для оптимизации конструкции печатной платы и соответствуют требованиям RoHS 3.

Более подробная информация: https://www.mouser.es/new/gan-systems/gan-systems-650v-transistors/