Новые силовые MOSFET-транзисторы, отличающиеся очень низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)), что значительно снижает потери проводимости, доступны в вариантах на 20 В и 30 В в N-канальной и P-канальной конфигурациях. Разработанные с максимальным управлением затвором, начинающимся с 12 Вgs, эти устройства идеально подходят для цепей защиты батарей с двумя последовательно соединенными элементами. IRL6297SD предлагает два 20-вольтовых N-канальных MOSFET-транзистора в конфигурации с общим стоком в компактном и теплоэффективном корпусе DirectFET® Small Can.
 
Обширный ассортимент MOSFET-транзисторов для управления батареями от IR доступен как в стандартных корпусах, так и в двухканальном корпусе Small Can DirectFET® для компактных конструкций. Благодаря низкому сопротивлению Rds(on) этой платформы, устройства могут использоваться для замены более крупных MOSFET-транзисторов, экономя место на плате и снижая системные затраты.
 
Все устройства соответствуют требованиям MSL1 и RoHS, а также не содержат свинца, бромида и галогенов.

Более подробная информация или запрос цены