Для удовлетворения этих требований компания Microchip Technology Inc. сегодня объявила о расширении своего портфеля продуктов на основе карбида кремния за счет семейства неупакованных, дискретных, высокоэффективных и высоконадежных силовых модулей на основе MOSFET-транзисторов из карбида кремния с напряжением 1700 В.

Технология Microchip на основе карбида кремния с напряжением 1700 В является альтернативой кремниевым IGBT-транзисторам. Предыдущие технологии требовали от разработчиков компромисса в отношении производительности и использования сложных топологий из-за ограничений частоты переключения, вызванных потерями в кремниевых IGBT-транзисторах. Кроме того, трансформаторы увеличивают габариты и вес силовых электронных систем, которые можно уменьшить только за счет увеличения частоты переключения.

Новое семейство продуктов на основе карбида кремния позволяет инженерам вывести свои IGBT-транзисторы на новый уровень, используя двухуровневые топологии с меньшим количеством компонентов, значительно более высокой эффективностью и более простыми методами управления. Отсутствие ограничений по переключению позволяет значительно уменьшить размеры и вес преобразователей энергии, освобождая место для большего количества зарядных станций, пассажирских и грузовых перевозок, а также для увеличения запаса хода и времени работы большегрузных автомобилей, электробусов и других коммерческих транспортных средств с аккумуляторным питанием — и все это при снижении общей стоимости системы.

«От разработчиков систем в транспортном сегменте постоянно требуют создания транспортных средств, способных вмещать больше людей и грузов, но их габариты не могут быть больше», — сказал Леон Гросс, вице-президент подразделения дискретных продуктов компании Microchip.

«Один из лучших способов достижения этой цели — существенное уменьшение размеров и веса оборудования для преобразования энергии, использующего высоковольтные силовые приборы на основе карбида кремния. Эти же преимущества для транспорта полезны и во многих других промышленных областях».

Среди ключевых особенностей — стабильность затворного оксида, поскольку компания Microchip не зафиксировала изменений порогового напряжения даже после 100 000 импульсов в ходе повторяющихся испытаний на неблокирующее индуктивное переключение (R-UIS). Испытания R-UIS также продемонстрировали превосходную лавинную стойкость и параметрическую стабильность, а также стабильность затворного оксида и надежную работу на протяжении всего срока службы системы.

Структурный диод, не подверженный деградации, позволяет обойтись без внешнего диода в МОП-транзисторах на основе карбида кремния. Благодаря своей устойчивости к короткому замыканию, сравнимой с устойчивостью IGBT-транзисторов, он способен преодолевать опасные электрические переходные процессы. Более пологая кривая RDS(on) относительно температуры перехода в диапазоне от 0 до 175 °C обеспечивает системе электропитания значительно большую стабильность, чем у других МОП-транзисторов на основе карбида кремния, которые более чувствительны к температуре.

Компания Microchip способствует внедрению своих технологий, предлагая семейство программируемых цифровых драйверов затвора^{AgileSwitch®} и широкий спектр дискретных корпусов и силовых модулей, доступных в стандартных и настраиваемых форматах. Эти драйверы затвора помогают ускорить разработку карбида кремния от лабораторных исследований до серийного производства.

В линейку других продуктов Microchip на основе карбида кремния входят MOSFET-транзисторы и диоды Шоттки на 700 В и 1200 В, поставляемые как в неупакованном виде, так и в различных дискретных корпусах и силовых модулях. Microchip объединяет собственное производство неупакованных устройств на основе карбида кремния с низкоиндуктивными силовыми корпусами и программируемыми цифровыми драйверами затвора, что позволяет разработчикам создавать наиболее эффективные, компактные и надежные конечные продукты.

В число решений компании, доступных в виде комплексных систем, входит также целый каталог микроконтроллеров, аналоговых схем и периферийных устройств, средств связи, беспроводных сетей и систем безопасности.

Инструменты разработки

Аналоговый симулятор ^MPLAB® Mindi ^™ от Microchip , совместимый с моделями моделирования на основе карбида кремния SPICE, предоставляет разработчикам систем ресурсы, необходимые для моделирования характеристик переключения до начала проектирования аппаратного обеспечения. Инструмент интеллектуальной конфигурации (ICT) позволяет разработчикам создавать эффективные модели драйверов затвора на основе карбида кремния для семейства программируемых цифровых ^{драйверов} затвора AgileSwitch® от Microchip .

Доступность

Дискретные кремнийкарбидные MOSFET-транзисторы и силовые модули Microchip без корпусов, рассчитанные на напряжение 1700 В, теперь доступны для заказа в различных корпусах.

Для получения дополнительной информации о ценах или других вопросах обратитесь к торговому представителю Microchip или авторизованному дистрибьютору, либо посетите веб-сайт компании. Для приобретения упомянутых продуктов обратитесь к авторизованному дистрибьютору Microchip.