Микросхема SSM6N951L специально разработана для интеграции в схемы защиты литий-ионных аккумуляторных батарей. Ее сверхнизкое сопротивление проводимости (максимум 4,6 мОм при напряжении VGS 3,8 В) и минимальный ток утечки между мостом и истоком (максимум 1 мкА при напряжении VGS 8 В) позволяют этому дискретному силовому устройству демонстрировать значительно более низкие тепловые характеристики, чем у конкурентов. Это неоценимо во время циклов заряда/разряда аккумуляторных батарей, что позволяет разрабатывать решения с более высокой плотностью размещения, обеспечивающие более высокую скорость зарядки, большую надежность и более длительный срок службы.
Эти новые MOSFET-транзисторы поставляются в низкопрофильных корпусах TCSP6A-172101 (размерами 2,14 мм x 1,67 мм x 0,11 мм), что делает их идеальными для установки в современное оборудование с батарейным питанием и ограниченным пространством.
