Они также найдут применение в возобновляемой энергетике, например, в фотоэлектрических (PV) инверторах и двунаправленных преобразователях постоянного тока, таких как те, которые используются для зарядки электромобилей (EV).

Новые модели TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C и TW107N65C основаны на передовом технологическом процессе SiC третьего поколения от Toshiba, который оптимизирует
ячеистые структуры, используемые в устройствах второго поколения.

В результате этого усовершенствования показатель качества (FoM), рассчитываемый как произведение сопротивления сток-исток (RDS(on)) и нагрузки сток-затвор (Qg) для представления статических и динамических потерь, улучшился примерно на 80%.

Как и предыдущие устройства, новые MOSFET-транзисторы третьего поколения включают в себя интегрированный барьер Шоттки из карбида кремния с низким прямым напряжением (VF) -1,35 В (типичное значение) для подавления дрожания RDS(on), что повышает надежность.

Новые устройства способны выдерживать токи (ID) до 100 А и имеют сопротивление RDS(on) всего 15 мОм. Все устройства размещены в стандартном для отрасли корпусе TO-247.