В последние годы спрос на повышение эффективности и удельной мощности стимулирует внедрение более высоких входных напряжений в промышленных и бытовых приложениях, а также требует от MOSFET-транзисторов не только низкого сопротивления проводимости, но и высоких неразрушающих напряжений.
Существует два типа MOSFET-транзисторов: N-канальные и P-канальные. Хотя N-канальные MOSFET-транзисторы обычно обеспечивают более высокую эффективность при использовании в высоковольтном режиме, они требуют напряжения на затворе выше входного напряжения, что усложняет конфигурацию схемы. P-канальные MOSFET-транзисторы, с другой стороны, могут управляться напряжением на затворе ниже входного напряжения, что значительно упрощает конфигурацию схемы и снижает затраты на проектирование.
В этом контексте компания ROHM разработала P-канальные MOSFET-транзисторы с низким сопротивлением проводимости, совместимые с входным напряжением 24 В (-40 В/-60 В), используя усовершенствованный технологический процесс 5-го поколения. Основанные на хорошо зарекомендовавшей себя структуре P-канальных MOSFET-транзисторов ROHM, эти новые продукты используют улучшенную технологию для достижения самого низкого сопротивления проводимости на единицу площади в своем классе. Это означает снижение сопротивления проводимости на 62% по сравнению с обычными продуктами для новых P-40-вольтовых устройств и на 52% для новых P-60-вольтовых устройств.
Одновременно с этим повышается качество за счет оптимизации конструкции устройства и применения нового конструктивного решения, снижающего концентрацию электрического поля. В результате достигается высокая надежность и низкое сопротивление проводимости (которые, как правило, находятся в компенсирующей зависимости). Эти решения способствуют длительной стабильной работе промышленного оборудования, требующего исключительного качества.
Компания ROHM продолжает разработку широкого спектра корпусов для самых разных областей применения, включая продукты, оптимизированные для автомобильной промышленности. В дополнение к этим P-канальным MOSFET-транзисторам 5-го поколения, мы разрабатываем более эффективные N-канальные MOSFET-транзисторы для расширения нашего портфеля продукции для базовых станций 5G и серверов центров обработки данных, где спрос продолжает расти. Эти продукты помогают снизить сложность проектирования приложений и повысить эффективность и надежность.
Ассортимент продукции
Наличие: в серийном производстве
Примеры применения
: - Переключатели управления энергопотреблением и электродвигатели вентиляторов для промышленного оборудования, например, в системах автоматизации производства, робототехнике и системах кондиционирования воздуха.
- Переключатели управления энергопотреблением и электродвигатели вентиляторов для крупногабаритного бытового оборудования.
