Полевые транзисторы NextPower 100V MOSFET от Nexperia — это компоненты нового поколения, рекомендованные для высокоэффективных и надежных коммутационных приложений. Благодаря снижению сопротивления R<sub>DS(on) </sub> на 50% и высокой мощности лавинного пробоя, они идеально подходят для источников питания, телекоммуникаций и промышленного применения, особенно хорошо подходят для зарядных устройств и адаптеров USB Type-C, а также для адаптеров постоянного тока 48 В. Эти устройства отличаются низкими диодными потерями и низким коэффициентом добротности Q<sub>RR </sub>, составляющим всего 50 нанокулонов (нКл), что приводит к снижению тока обратного восстановления (I<sub>RR</sub>), снижению пикового напряжения (V<sub>peak</sub>) и уменьшению колебаний, что позволяет дополнительно оптимизировать мертвое время.
Комментарии Майка Беккера, менеджера по продукции силовых MOSFET-транзисторов: «Qrr — это часто упускаемый из виду параметр, хотя он может оказывать существенное влияние на многие аспекты проектирования. Низкий пиковый объем означает снижение электромагнитных помех, а оптимизированное мертвое время дополнительно повышает эффективность, что и является нашей целью в Nexperia. Мы продемонстрировали, что низкий Qrr выгоден для обеих функций».
Новые MOSFET-транзисторы NextPower 100V доступны в трех корпусах: TO220 и I2PAK (для монтажа в отверстия), а также в широко известном корпусе LFPAK56 (для поверхностного монтажа). Все варианты корпусов имеютмаксимальную температуру перехода Tj 175°C и полностью соответствуют требованиям стандарта IPC9592 к расширенному диапазону рабочих температур, что делает MOSFET-транзисторы NextPower 100V особенно подходящими для телекоммуникационных и ИТ-приложений.
