Новый продукт "TK55S10N1" обеспечивает низкое сопротивление включения за счет объединения микросхемы из серии "U-MOS VIII-H", изготовленной с использованием новейшего восьмого поколения траншейных МОП-транзисторов, с корпусом "DPAK+", использующим медные разъемы. Этот продукт особенно хорошо подходит для автомобильной промышленности, особенно для приложений, требующих высокоскоростного переключения, таких как импульсные стабилизаторы напряжения. Образцы уже доступны, а серийное производство планируется начать в апреле 2013 года.
- Подробности
- Категория: Интегральные схемы
Низкоомный силовой N-канальный MOSFET с напряжением 100 В для автомобильной промышленности.
Компания Toshiba Corporation выпустила 100-вольтовый MOSFET-транзистор с низким сопротивлением в открытом состоянии и низкими потерями мощности, использующий новейший MOS-технологический процесс, что стало очередным дополнением к линейке автомобильных приложений компании.
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.