SCH2080KE — это первый силовой модуль на основе SiC, в котором успешно интегрирован SiC SBD в одном корпусе. Прямое напряжение (VF) снижено на 70% и более, что приводит к уменьшению потерь мощности и сокращению количества компонентов.
В инверторах и преобразователях на 1200 В обычно используемые SiIGBT-транзисторы вызывают потери мощности при переключении из-за тока утечки или восстановления после внешнего FRD, что требует использования силовых модулей на основе SiC, способных работать с низкими потерями при переключении на высоких частотах. Однако традиционные силовые модули на основе SiC страдали от проблем с надежностью, включая ухудшение характеристик из-за проводимости тела диода (например, увеличение сопротивления в открытом состоянии, прямого напряжения и ухудшение сопротивления) и отказы пленочного слоя затворного оксида, что делало полномасштабную интеграцию невозможной.
Компания ROHM успешно преодолела эти проблемы, улучшив процессы, связанные с дефектами в кристаллической и структурной структуре устройства, и снизив сопротивление в открытом состоянии на единицу площади примерно на 30% по сравнению с традиционными продуктами, что привело к повышению миниатюризации.
Компания ROHM также успешно интегрировала SiC SBD (который ранее приходилось устанавливать снаружи) в тот же корпус, используя свою запатентованную технологию монтажа, что минимизирует прямое напряжение, которое было проблемой в предыдущих корпусах силовых диодов на основе SiC. В результате SCH2080KE снижает потери мощности в рабочем режиме на 70% и более по сравнению с Si IGBT, используемыми в обычных преобразователях. Это не только обеспечивает меньшие потери при переключении, но и позволяет использовать более компактные периферийные компоненты, поддерживая частоты выше 50 кГц.
Компания ROHM также предлагает SCT2080KE, силовой модуль на основе SiC без внутреннего SiC SBD. Как SCH20801KE, так и SCT2080KE могут быть сконфигурированы в соответствии с требованиями заказчика.
