ASFET — это новый класс MOSFET-транзисторов, оптимизированных для использования в конкретных сценариях проектирования. Сосредоточившись на критически важных параметрах приложения, иногда в ущерб другим, менее важным параметрам в той же конструкции, можно достичь новых уровней производительности. Новые ASFET-транзисторы с возможностью горячей замены используют сочетание новейших кремниевых технологий Nexperia и конструкции корпуса с медными зажимами, что значительно увеличивает безопасную рабочую область (SOA) и минимизирует площадь печатной платы.
Ранее MOSFET-транзисторы страдали от эффекта Спирито, при котором производительность SOA быстро снижалась из-за термической нестабильности при высоких напряжениях. Надежная технология Nexperia, улучшающая SOA, устраняет эффект Спирито, увеличивая SOA на 166% при 50 В по сравнению с предыдущими поколениями в D2PAK.
Еще одним важным достижением является включение в техническое описание спецификации SOA для температуры 125°C. По словам Майка Беккера, международного директора по маркетингу продукции компании Nexperia: «Традиционно спецификация SOA указывается только для 25°C, что означает, что разработчикам приходится снижать энергопотребление для работы в условиях высоких температур. Наши новые ASFET с горячим теплообменником включают спецификацию SOA для 125°C, что устраняет эту трудоемкую задачу и подтверждает превосходные характеристики Nexperia даже при повышенных температурах».
Новые ASFET-транзисторы PSMN4R2-80YSE (80 В, 4,2 мОм) и PSMN4R8-100YSE (100 В, 4,8 мОм) с возможностью горячей замены выпускаются в корпусе LFPAK56E, соответствующем стандарту Power-SO8. Уникальная конструкция корпуса с внутренним медным зажимом улучшает тепловые и электрические характеристики, существенно уменьшая при этом габариты. Новые изделия LFPAK56E имеют размеры всего 5 мм x 6 мм x 1,1 мм, что представляет собой уменьшение размеров печатной платы и высоты устройства на 80% и 75% соответственно по сравнению с предыдущим поколением D2PAK. Устройства также имеют максимальную температуру перехода 175 °C, соответствующую стандартам IPC9592 для промышленного и телекоммуникационного применения.
Беккер добавляет: «Еще одно преимущество — улучшенное распределение тока в мощных приложениях, требующих параллельной работы нескольких MOSFET-транзисторов с возможностью горячей замены, что повышает надежность и снижает стоимость системы». Компания Nexperia широко признана лидером рынка MOSFET-транзисторов с возможностью горячей замены. С этими новейшими ASFET-транзисторами мы снова подняли планку».
Новые ASFET-транзисторы с горячим обменом — это новейшие устройства, производимые на новом заводе Nexperia по выпуску 8-дюймовых кремниевых пластин в Манчестере, Великобритания, мощности которого готовы к выполнению крупных заказов.
Более подробная информация, включая технические характеристики и паспорта продукции
Вы также сможете увидеть эту новую технологию в действии на мероприятии Nexperia Power Live, которое пройдет с 21 по 23 сентября.
