В последние годы — в связи с растущим спросом на серверные системы в ответ на увеличение числа устройств Интернета вещей — повышение эффективности преобразования энергии и уменьшение размеров стали важными социальными проблемами, требующими новых достижений в секторе силовых устройств.
Поскольку устройства на основе нитрида галлия (GaN) обычно обладают превосходными характеристиками переключения и более низким сопротивлением проводимости, чем кремниевые устройства, ожидается, что они будут способствовать снижению энергопотребления различных источников питания и дальнейшей миниатюризации периферийных компонентов.
Помимо массового производства ведущих в отрасли SiC-устройств и многофункциональных кремниевых устройств, компания ROHM разработала GaN-устройства, обеспечивающие превосходную работу на высоких частотах в средневольтном диапазоне, что позволяет нам предлагать решения в области электропитания для более широкого спектра применений.
В этих новых изделиях используется оригинальная конструкция, которая повышает номинальное напряжение затвор-исток с обычных 6 В до 8 В. В результате предотвращается деградация даже при возникновении перенапряжений, превышающих 6 В, во время переключения, что улучшает запас прочности и повышает надежность цепей питания. Серия GNE10xxTB предлагается в универсальном корпусе, обеспечивающем превосходное рассеивание тепла и высокую токовую нагрузку, что упрощает работу при сборке.
Компания ROHM зарегистрировала свои GaN-устройства, способствующие повышению энергосбережения и миниатюризации, под названием EcoGaN™ и работает над расширением ассортимента за счет устройств, повышающих производительность. В будущем ROHM продолжит разработку интегральных схем управления, использующих аналоговые технологии питания, такие как Nano Pulse Control™, и модулей, включающих эти интегральные схемы, а также решений в области электропитания, которые способствуют устойчивому развитию общества за счет максимизации производительности GaN-устройств.
Профессор Масаёси Ямамото, Высшая школа инженерных наук, Университет Нагоя.
В этом году Министерство экономики, торговли и промышленности Японии (METI) поставило цель достичь 30% экономии энергии в новых центрах обработки данных к 2030 году — менее чем через 10 лет. Однако эти системы должны быть не только энергоэффективными, но и устойчивыми и стабильными, поскольку они стали жизненно важной частью нашей социальной инфраструктуры.
В ответ на сложившуюся ситуацию компания ROHM разработала новое GaN-устройство, обеспечивающее лучшее в отрасли бесперебойное напряжение затвора 8 В, что гарантирует исключительную долговечность и стабильность при одновременной значительной экономии энергии. Основываясь на этих продуктах, ROHM продолжит повышать эффективность источников питания, сочетая их со своей запатентованной технологией аналогового питания Nano Pulse Control™, создавая значительную технологическую тенденцию, которая поможет полупроводниковой и телекоммуникационной отраслям достичь углеродной нейтральности к 2040 году.
Что такое EcoGaN™?
EcoGaN™ — это технология, применяемая в устройствах на основе нитрида галлия (GaN), которая способствует энергосбережению и миниатюризации за счет максимального использования низкого сопротивления проводимости GaN и высокоскоростных характеристик переключения. Цель состоит в снижении энергопотребления приложений, миниатюризации периферийных компонентов, уменьшении сложности проектирования и количества необходимых деталей.
*EcoGaN™ является товарным знаком или зарегистрированным товарным знаком компании ROHM Co., Ltd.
Примеры применения (рис. 4)
• Схемы понижающих преобразователей на входе 48 В для центров обработки данных и базовых станций
• Схемы повышающих преобразователей для блока усилителей мощности базовых станций
• Схемы управления LiDAR и схемы беспроводной зарядки для портативных устройств
• Аудиоусилители класса D
Примеры схем
Ассортимент продукции
