По данным компании, новая технология позволяет увеличить удельную мощность и эффективность до 30%, а также снизить потери до 35%, что упрощает проектирование более компактного оборудования для электромобилей, центров обработки данных в сфере искусственного интеллекта и промышленного применения. EliteSiC M4 призван удовлетворить растущий спрос на электроэнергию без пропорционального увеличения размеров системы, требований к охлаждению или потерь энергии.
Траншейная архитектура для повышения эффективности переключения
Новое поколение EliteSiC M4 включает в себя улучшения в характеристиках управления и переключения передач по сравнению с предыдущей платформой. Основные технические усовершенствования включают в себя:
Снижение удельного сопротивления проводимости (RSP) на 20–50% наряду с повышением скорости переключения.
Улучшение показателей эффективности жесткого переключения на 67%.
Улучшение показателей эффективности мягкого переключения на 50%.
Совместимость с различными типами корпусов, включая корпуса для поверхностного монтажа с верхним охлаждением и высокомощные модули.
Рассчитан на работу при температурах 185 °C и выше, предназначен для применения в сложных условиях.
Эти особенности позволяют снизить потери энергии и разработать более высокопроизводительные преобразователи мощности в условиях ограниченного пространства.
Применение ИИ в электромобилях и центрах обработки данных
В автомобильной отрасли EliteSiC M4 в первую очередь предназначен для инверторов тягового привода электромобилей, где эффективность преобразования влияет на запас хода, тепловые характеристики и габариты системы. Более высокая удельная мощность также позволяет оптимизировать конструкцию систем электропривода.
Платформа также ориентирована на солнечные энергетические системы, системы хранения энергии и другие высоковольтные приложения. В этих условиях снижение потерь при преобразовании может способствовать повышению эффективности использования энергии и уменьшению потребности в охлаждении. По словам Ачьюта Шаха, президента группы энергетических решений компании onsemi, новая энергетическая инфраструктура должна обеспечивать более эффективную передачу энергии при меньших габаритах.
Доступны микросхемы EliteSiC M4 на 750 В и 1200 В
Микросхема EliteSiC M4 теперь доступна в формате «голого кристалла» на 750 В, предназначенная для автомобильных тяговых инверторов. Компания Onsemi планирует расширить платформу новыми артикулами и различными уровнями напряжения, до 1200 В, начиная с 2027 года.
