Новые MOSFET-транзисторы TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z и TK190E65Z обеспечивают снижение коэффициента качества (FoM) сопротивления сток-исток (RDSON)x заряд сток-затвор (Qgd)по сравнению с предыдущим поколением DTMOS. Это приводит к существенному снижению потерь при переключении по сравнению с более ранними устройствами. Следовательно, в конструкциях, использующих эти новые устройства, будет наблюдаться повышение эффективности. Улучшение характеристик будет касаться как новых разработок, так и модернизации существующих.
Четыре новых устройства обеспечивают напряжение сток-исток (V<sub>DSS</sub>) 650 В и ток стока (I<sub>D) до 30 А. Сопротивление включения сток-исток (R<sub>DSON</sub>) составляет всего 0,09 Ом, а заряд затвора-стока (Q<sub>gd</sub>) может быть всего 7,1 нКл, что обеспечивает работу с низкими потерями на высоких скоростях. Все устройства выпускаются в стандартном для промышленного рынка корпусе TO-220 для монтажа в отверстия.
Для получения дополнительной информации или коммерческого предложения, пожалуйста, свяжитесь с нами.
- Подробности
- Категория: Конфиденциально
Суперпереходный MOSFET с четырьмя дополнительными устройствами на 650 В
Компания Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») добавила в свою серию DTMOSVI еще четыре силовых N-канальных суперпереходных MOSFET-транзистора на 650 В. Основываясь на успехе существующих устройств, новые транзисторы будут использоваться в основном в таких областях, как источники питания для промышленного оборудования и освещения, а также в других приложениях, требующих максимальной эффективности в компактном форм-факторе.
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.