Сегодня начинается отгрузка образцов продукции, созданной с использованием новой технологической системы.
Технология BiCS основана на передовом 48-слойном процессе, который повышает надежность и износостойкость при записи/стирании, а также увеличивает скорость записи, что делает ее пригодной для использования в различных приложениях, в первую очередь в твердотельных накопителях (SSD).
С момента первого в мире объявления о технологии 3D-флэш-памяти[3] компания Toshiba продолжает разработку, направленную на оптимизацию массового производства. Для удовлетворения потребностей рынка в 2016 году и в последующие годы Toshiba активно продвигает переход на 3D-флэш-память, выпуская портфель продуктов, ориентированный на приложения большой емкости, такие как SSD.
Компания также готовится к массовому производству на новом заводе Fab2 на предприятии Yokkaichi Operations, своем заводе по производству NAND-флэш-памяти. Завод Fab2 находится в стадии строительства и будет завершен в первой половине 2016 года, чтобы удовлетворить растущий спрос на флэш-память.
Дополнительная информация или цитаты.
Примечания:
[1] По состоянию на 26 марта 2015 г. Обзор Toshiba.
[2] Вертикально расположенная структура ячеек флэш-памяти на кремниевой плоскости со значительным улучшением плотности по сравнению с обычной флэш-памятью NAND, где ячейки расположены в плоском направлении на кремниевой плоскости.
[3] Презентация Toshiba, 12 июня 2007 г.
