В частности, в электромобилях (EV) инвертор, играющий фундаментальную роль в системе привода, должен быть более эффективным для увеличения запаса хода и уменьшения размера бортовой батареи, что повышает ожидания от силовых устройств на основе SiC.
Компания ROHM, первая в мире компания, начавшая массовое производство SiC MOSFET в 2010 году, продолжает разрабатывать передовые технологии силовых устройств на основе SiC. К ним относятся новейшие SiC MOSFET 4-го поколения, которые обеспечивают улучшенное время работы при коротком замыкании, а также самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии, что позволяет увеличить запас хода электромобиля и снизить энергопотребление на 6% по сравнению с IGBT (на основе расчетов с использованием теста WLTC на топливную эффективность, являющегося международным стандартом) при установке в основной инвертор.
В то же время компания Hitachi Astemo, которая уже несколько лет разрабатывает передовые технологии для автомобильных двигателей и инверторов, имеет значительный опыт работы на все более популярном рынке электромобилей. Однако это первый случай, когда в основной схеме инвертора были использованы устройства на основе SiC для дальнейшего повышения производительности. Поставки инверторов автопроизводителям планируется начать в 2025 году, сначала в Японии, а затем и по всему миру.
В будущем, будучи ведущим поставщиком силовых устройств на основе SiC, компания ROHM продолжит расширять свой ассортимент и предлагать решения в области электропитания, которые способствуют техническим инновациям в автомобильной промышленности за счет сочетания периферийных технологий, таких как интегральные схемы управления, разработанные для максимальной производительности.
