Компания Renesas разработала новый технологический процесс производства MOSFET-транзисторов (REXFET-1), который позволяет значительно снизить сопротивление включения (сопротивление между стоком и истоком, когда MOSFET включен) на 30%. Более низкое сопротивление включения способствует существенному снижению потерь мощности в проектах заказчиков.
Технологический процесс REXFET-1 также позволяет новым MOSFET-транзисторам обеспечить снижение характеристик Qg (количество заряда, необходимое для подачи напряжения на затвор) на 10 процентов и снижение Qgd (количество заряда, которое необходимо ввести в затвор во время фазы плато Миллера) на 40 процентов.
В дополнение к превосходным электрическим характеристикам, новые MOSFET-транзисторы Renesas RBA300N10EANS и RBA300N10EHPF выпускаются в стандартных для отрасли корпусах TOLL и TOLG, совместимых с устройствами сторонних производителей и на 50 процентов меньших по размеру, чем традиционные корпуса TO-263. Корпус TOLL также имеет смачиваемые края для оптического контроля.
