Новый IGBT-транзистор GT20N135SRA имеет напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) 1,60 В (типичное значение) и прямое напряжение диода (VF) 1,75 В, что представляет собой снижение примерно на 10% и 21% соответственно по сравнению с традиционными изделиями. Поскольку как IGBT, так и диод имеют улучшенные потери проводимости при высоких температурах (TC=100°C), устройство будет работать более эффективно.
Кроме того, его оптимальное максимальное тепловое сопротивление между переходом и инкапсуляцией (Rth(jc)) в 0,48℃/Вт облегчает проектирование тепловых систем, поскольку требует меньшего рассеивания тепла, что представляет собой приблизительное снижение на 26% по сравнению с существующими продуктами.
Новый транзистор GT20N135SRA способен подавлять ток короткого замыкания за счет резонансного конденсатора, который генерируется при подключении устройства. Пиковый ток короткого замыкания нового изделия составляет 129 А, что почти на треть ниже, чем у существующих аналогов. Более широкая область безопасной работы (SOA) снижает вероятность пробоя IGBT, предоставляя разработчикам гораздо большую гибкость.
Устройство, поставляемое в стандартном корпусе TO-247, способно выдерживать максимальный коллекторный ток (КТ) 40 А, который снижается до 20 А при температуре 100℃.
