Благодаря низкому сопротивлению и низкому току утечки, он отвечает требованиям, предъявляемым к этому типу MOSFET. Способ подключения двух независимых выходов реализован внутри устройства для улучшения питания при включении и выключении. К областям его широкого применения относятся импульсные преобразователи мощности, серводвигатели переменного тока, сварочное оборудование, промышленное преобразование энергии и системы бесперебойного питания.
К числу наиболее примечательных особенностей относятся:
• Изоляция: 3500 В переменного тока
• Емкостная нагрузка: 220 мкФ
• Емкость изоляции: 3,5 пФ
• Рабочая температура: от -40 до 105 °C
• КПД до 83%
• SIP
• Защита от короткого замыкания
Режим работы:
Драйвер SiC MOSFET получает управляющее напряжение 20 В и отключает напряжение смещения -4 В от QA01C. Для предотвращения повреждения электродов необходимо добавить пару стабилитронов (D2 и D3) для поглощения пикового напряжения. Кроме того, рекомендуется использовать оптоизоляцию для изоляции сигнала между цепью управления и основной цепью питания, поскольку максимальное значение CMRR оптопары (30 кВ) при высоком напряжении изоляции может вызвать небольшую задержку в достижении высокой характеристической частоты этих MOSFET.
