Новейшее дополнение к линейке силовых полупроводниковых устройств Toshiba отвечает растущему спросу на компактные и энергоэффективные решения для высоковольтных инфраструктур.
В микросхеме ST2000JXH35A используются недавно разработанные микросхемы IEGT траншейного типа с оптимизированной структурой ячеек, обеспечивающие высокую коммутационную способность и надежную защиту от короткого замыкания. Эти технические усовершенствования позволяют значительно улучшить характеристики устройства по сравнению с существующей моделью Toshiba ST1700JXH26A за счет увеличения напряжения испытания на отключение с 3600 В до 4500 В. Кроме того, изделие успешно прошло испытания на короткое замыкание при напряжении 4500 В, подтверждая его пригодность для применений, требующих высокой эксплуатационной стабильности при больших электрических нагрузках.
Ключевым преимуществом ST2000JXH35A является его способность оптимизировать конструкцию высоковольтных систем. Использование этого изделия с номинальным напряжением 6500 В позволяет инженерам сократить количество последовательно соединенных устройств, необходимых в архитектурах передачи постоянного тока. Это сокращение количества компонентов напрямую способствует снижению веса и миниатюризации всей конструкции оборудования. Следовательно, эти улучшения помогают снизить затраты на строительство и транспортировку, обеспечивая дополнительную ценность для преобразовательных станций морских ветроэлектростанций, где затраты на установку и логистическая сложность значительны.
Изделие имеет конструкцию прессованного блока, обеспечивающую охлаждение с обеих сторон, и герметичную структуру, гарантирующую надежность, необходимую для длительной промышленной эксплуатации. Помимо использования в передающей инфраструктуре, ST2000JXH35A позволяет применять более высокие номинальные напряжения и более компактные форм-факторы в промышленных электроприводах и устройствах компенсации реактивной мощности, стабилизирующих энергосистемы.
Компания Toshiba планирует и дальше расширять свой ассортимент IEGT в прессованном корпусе, чтобы еще больше поддержать развитие технологий высоковольтных преобразователей.
Для получения более подробной информации о новом продукте перейдите по ссылке ниже: ST2000JXH35A
Для получения дополнительной информации о технологии IEGT (PPI) от Toshiba перейдите по ссылке ниже
