Кроме того, показатель RDS(ON) x QGD, являющийся критерием качества работы MOSFET, улучшается примерно на 52%. Целевые области применения включают высокоэффективные импульсные источники питания в центрах обработки данных, стабилизаторы напряжения для фотоэлектрических генераторов и системы бесперебойного питания.
В новом изделии используется популярный корпус TOLL, в котором для вывода истока сигнала применяется соединение Кельвина. В результате индуктивность истока оказывает меньшее влияние, уменьшая колебания при переключении и улучшая характеристики переключения при работе MOSFET на высоких скоростях затвора. Примененная форма выводов обеспечивает правильную пайку, повышает надежность сборки и упрощает визуальный контроль.
Максимальная температура канала (Tch) нового изделия составляет 150 °C. Сопротивление RDS(ON) равно 47 мОм при напряжении затвор-исток 10 В.
Типичные значения суммарного заряда затвора (Qg), заряда затвора-стока (Qgd) и входной емкости (Ciss) составляют 65 нКл, 15 нКл и 3680 пФ соответственно. Эти параметры позволят новому устройству переключаться с максимально возможной скоростью.
Компания Toshiba продолжит расширять свой ассортимент продукции серии 600V DTMOSVI, а также уже выпущенную серию 650V DTMOSVI, чтобы способствовать экономии энергии за счет снижения потерь мощности в импульсных источниках питания.
