Повышенная эффективность на более высоких скоростях и улучшенная удельная мощность системы. В устройствах используется уникальная каскадная технология SiC FET, в которой нормально включенный SiC JFET объединен с кремниевым MOSFET для получения нормально выключенного SiC FET. Эти полевые транзисторы уменьшают индуктивность компактных внутренних соединительных петель, что, наряду с предусмотренным соединением истока Кельвина, снижает потери при переключении, обеспечивая работу на более высоких частотах и ​​улучшенную удельную мощность системы. Транзисторы оптимизированы для таких применений, как бортовые зарядные устройства, программно-управляемые DC/DC преобразователи, зарядка аккумуляторов и источники питания для ИТ-оборудования/серверов.

Более подробная информация или запрос цены