В двух новых силовых MOSFET-транзисторах используются высокоскоростные встроенные диоды для улучшения критически важных характеристик обратного восстановления, что повышает эффективность мостовых схем и инверторных приложений. По сравнению со стандартными продуктами DTMOS VI, TK042N65Z5 и TK095N65Z5 обеспечивают снижение времени обратного восстановления (t_{_rr}) на 65% до значений 160 нс и 115 нс соответственно. По сравнению со стандартными MOSFET-транзисторами Toshiba, новые продукты снижают заряд обратного восстановления (Q_{_rr}) на 88% и ток отсечки стока при высоких температурах до 90% (TK042N65Z5).

Кроме того, ключевой показатель качества (FoM) «сопротивление сток-исток On × нагрузка сток-затвор» (R_DS(ON) * Q_gd) снижен примерно на 72% по сравнению с текущим TK62N60W5 от Toshiba. Эти значительные улучшения снижают потери мощности в оборудовании, тем самым повышая эффективность. Например, в схеме LLC мощностью 1,5 кВт микросхема TK042N65Z5 демонстрирует улучшение эффективности источника питания примерно на 0,4% по сравнению с предыдущей моделью TK62N60W5.

Новые TK042N65Z5 и TK095N65Z5 имеют_RDS(ON) 42 мОм и 95 мОм соответственно. Они способны обеспечивать токи стока (ID₎до 55 А и 29 А. Оба устройства размещены в небольшом корпусе TO-247.

Теперь доступен новый эталонный проект для улучшенного источника питания сервера мощностью 1,6 кВт на основе нового устройства TK095N65Z5. Toshiba также предлагает инструменты проектирования схем для импульсных источников питания. Наряду с моделью SPICE G0, которая быстро проверяет работу схемы, теперь доступны высокоточные модели SPICE G2, которые точно воспроизводят переходные характеристики.

В дополнение к уже выпущенным продуктам DTMOS VI на 650 В и 600 В, Toshiba продолжит расширять свой ассортимент DTMOS VI высокоскоростными диодами для повышения эффективности импульсных источников питания и, таким образом, содействия энергосбережению.