Первым высоковольтным продуктом на этой новой платформе стал MOSFET-транзистор AOS AOTL037V60DE2 на 600 В, разработанный для удовлетворения растущего спроса на высокую эффективность и высокую удельную мощность в широком спектре применений, включая серверы, рабочие станции, телекоммуникационные выпрямители, солнечные инверторы, контроллеры двигателей и промышленные энергетические системы.
Основные задачи проектирования импульсных источников питания средней и высокой мощности (SMPS) и солнечных инверторных систем можно свести к четырем ключевым требованиям: более высокая эффективность, более высокая удельная мощность, более низкая общая стоимость системы и бескомпромиссная надежность. Для удовлетворения этих ожиданий высоковольтные суперпереходные MOSFET-транзисторы стали предпочтительными устройствами для критически важных топологий, включая медленную часть источников питания с двухтактной схемой (PFC), резонансные LLC-преобразователи, блоки коррекции коэффициента мощности (PFCB) и циклоконвертеры.
Компания AOS разработала усовершенствованную платформу высоковольтных суперпереходных MOSFET-транзисторов αMOS E2™ с изначально надежным встроенным диодом, способным стабильно работать в сложных условиях переключения, таких как обратное восстановление диода, которое может происходить во время аномальных событий, таких как короткие замыкания или переходные процессы при запуске. AOTL037V60DE2, доступный в корпусе TOLL, имеет максимальное сопротивление RDS(ON) 37 миллиом. В ходе испытаний, проведенных группой инженеров-разработчиков AOS, надежность встроенного диода в этом αMOS E2™ MOSFET продемонстрировала способность выдерживать di/dt = 1300 А/мкс при определенных условиях прямого тока (IF) при температуре перехода 150 °C. Кроме того, тестирование AOS подтвердило, что AOTL037V60DE2 обладает превосходными возможностями лавинного нерегулируемого индуктивного переключения (UIS) и более длительным временем удержания при коротком замыкании (SCWT) по сравнению с конкурирующими MOSFET-транзисторами. Эта повышенная надежность обеспечивает более высокую стабильность системы на системном уровне, гарантируя стабильную работу даже в ненормальных условиях эксплуатации.
«Мы разработали эту платформу и первый высоковольтный MOSFET для удовлетворения потребностей традиционных источников питания переменного/постоянного тока, а также преобразователей постоянного тока и инверторов постоянного/переменного тока, где достижение высокой плотности мощности и эффективности остается критически важной задачей. Благодаря обширному опыту AOS в разработке MOSFET-транзисторов, мы знаем, что инновационные возможности платформы высоковольтных суперпереходных MOSFET-транзисторов αMOS E2™ и AOTL037V60DE2 решают эти задачи, позволяя разработчикам приложений средней и высокой мощности, солнечных инверторов и преобразователей постоянного тока эффективно удовлетворять текущие и будущие требования к энергоэффективности, долговечности и снижению затрат», — сказал Саймон Ю, старший менеджер по продуктовой линейке AOS.
Основные технические характеристики:
Оптимизирован для топологий с мягким переключением и исключительно низкими потерями при переключении.
Прочный диод с уменьшенным коэффициентом добротности Qrr для сложных, высоконагруженных приложений.
Повышенная надежность благодаря высокому уровню UIS, способности выдерживать пусковой ток и широким возможностям SOA.
Разработан для предотвращения самопроизвольного включения, обеспечивая надежную работу в динамических условиях.
Подходит для применений в схемах коррекции коэффициента мощности Totem Pole PFC, LLC, PSFB и CrCM H-4/инверторном цикле.
Наличие и цена:
Микросхема AOTL037V60DE2 (600 В, 37 мОм, TOLL) доступна для серийного производства со сроком поставки 16 недель. Цена за единицу при заказе 1000 штук составляет 5,58 долларов США.
