Vishay Semiconductors VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 и VS-SF200SA120 используются MOSFET-транзисторы из карбида кремния (SiC) последнего поколения, выполненные в стандартном для отрасли корпусе SOT-227.
Доступные в одноключевом и низковольтном модуле с прерывателем, каждый силовой модуль оснащен интегрированным SiC MOSFET с мягким диодом, обеспечивающим низкое обратное восстановление. Это приводит к снижению потерь при переключении и повышению эффективности в солнечных инверторах; автономных зарядных устройствах для электромобилей; импульсных источниках питания (SMPS), преобразователях постоянного тока, ИБП и системах отопления, вентиляции и кондиционирования воздуха (HVAC); крупномасштабных системах хранения энергии на основе батарей; и источниках питания для телекоммуникаций.
Компактный корпус SOT-227 для микросхем VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 и VS-SF200SA120 позволяет использовать эти устройства в качестве прямой замены конкурирующих решений в существующих конструкциях, предоставляя разработчикам возможность использовать одну из новейших технологий SiC без необходимости модификации конструкции печатной платы. Кроме того, формованный корпус обеспечивает электрическую изоляцию до 2500 В в течение одной минуты, снижая затраты за счет устранения необходимости в дополнительной изоляции между компонентом и радиатором.
Силовые модули обеспечивают непрерывный ток стока от 50 до 200 А и низкое сопротивление проводимости до 12,1 мОм. Устройства соответствуют требованиям RoHS, обеспечивают высокоскоростное переключение с низкой емкостью и выдерживают высокую максимальную температуру перехода +175 °C.
Более подробная информация
