Области применения технологии SiC варьируются от электромобилей и зарядных станций до интеллектуальных энергосетей и энергетических систем для промышленности и авиации. Компания Microchip Technology Inc. объявила о расширении своего портфеля более силовых модулей на основе SiC . Наряду с широким спектром микроконтроллеров и аналоговых продуктов, Microchip удовлетворяет потребности в управлении, питании и электропитании мощных систем, а также предоставляет своим клиентам комплексные системные решения.
Семейство SiC-модулей от Microchip включает силовые модули на основе диодов Шоттки (SBD), доступные в версиях на 700 В, 1200 В и 1700 В. Это новое семейство силовых модулей включает различные топологии, такие как двухдиодные, полномостовые, фазово-разветвленные, двухкатодные и трехфазные мостовые, а также несколько вариантов исполнения и корпусов. Использование SiC-модулей SBD упрощает проектирование за счет интеграции нескольких SiC-диодов с возможностью комбинирования и адаптации материала подложки и материнской платы в одном модуле, что максимизирует частоту переключения, снижает тепловыделение и позволяет уменьшить габариты системы.
«Внедрение и расширение технологии SiC стимулирует инновации в современных системах, и Microchip находится в авангарде этого процесса, сотрудничая с клиентами во всех сегментах и географических регионах», — сказал Леон Гросс, вице-президент подразделения дискретных продуктов Microchip. «Мы по-прежнему сосредоточены на предоставлении надежных и инновационных решений. От определения продукта до его запуска наша технология SiC обеспечивает превосходный уровень надежности и отказоустойчивости, помогая разработчикам силовых систем гарантировать длительный срок службы своих приложений без снижения производительности».
Гибкий портфель модулей SiC SBD на 700, 1200 и 1700 В использует новейшее поколение SiC от Microchip, что максимизирует надежность и отказоустойчивость системы, обеспечивая при этом стабильный и длительный срок службы приложения. Высокая лавинная устойчивость устройств означает, что разработчикам систем требуется меньше демпфирующих цепей, а структурная стабильность диода позволяет использовать внутренний диод без долговременной деградации.
Проведенные компанией Microchip и сторонними организациями испытания, а также критически важные оценки надежности показали, что характеристики устройств Microchip превосходят показатели других устройств на основе SiC.
Инструменты разработки.
Эталонные проекты и платы длятрехфазной системы коррекции коэффициента мощности Vienna мощностью 30 кВт, дискретных модулей SiC и SP3/SP6LI предоставляют разработчикам систем инструменты, помогающие сократить время разработки.
Наличие:
Модули питания SiC SBD на 700, 1200 и 1700 В теперь доступны для заказа. Весь каталог SiC поддерживается моделями SiC SPICE, эталонными проектами для плат управления SiC и эталонным проектом Vienna для коррекции коэффициента мощности. Продукция Microchip на основе SiC доступна в производстве вместе с сопутствующими продуктами. SiC MOSFET и SiC диоды предлагаются в различных форматах полупроводниковых кристаллов и корпусов.
