Аналогично, MGJ2B и MGJ1 SIP идеально подходят для управления затворами IGBT/SiC и MOSFET в мостовых схемах; MGJ1 SIP также поддерживает напряжения GaN +12 В, +8 В и +6 В/-3 В. Обе серии характеризуются высоким уровнем изоляции, непрерывным номинальным напряжением 2,4 кВ (без учета требований безопасности), усиленной изоляцией UL62368 300 В среднеквадратичного значения и типичными требованиями к dv/dt для мостовых схем, используемых в драйверах двигателей и инверторах CMTI >200 кВ/мкс.
- Подробности
- Категория: Другие компоненты
Новейшие высокоэффективные DC-DC преобразователи от Murata Power Solutions
В линейку продукции Farnell пополнили преобразователи постоянного тока серии MGN1, предназначенные для питания цепей управления затворами верхнего и нижнего плеч для GaN-схем в мостовых схемах. Широкий выбор выходных напряжений позволяет оптимизировать уровни управления для повышения эффективности системы. Серия MGN1 отличается способностью удовлетворять высоким требованиям к dv/dt, характерным для высокоскоростных GaN-приложений, благодаря сверхнизкой емкости изоляции и усиленной изоляции на 250 В.
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.