Samsung Electronics: Разработка QLC и V9 NAND.
Samsung традиционно является лидером в производстве V-NAND — своей вертикально-стекированной 3D-технологии NAND, которая может включать QLC.
Samsung начала массовое производство V-NAND 9-го поколения (включая QLC), улучшив плотность битов, энергоэффективность и производительность за счет передовых методов управления напряжением и масштабируемой многослойной архитектуры.
Полномасштабный коммерческий запуск этого поколения (особенно варианта QLC) был отложен до первой половины 2026 года из-за проблем с проектированием и оптимизацией, согласно отраслевым отчетам.
Samsung также объявила о планах по выпуску SSD-накопителей объемом до 256 ТБ в 2026 году и 512 ТБ в 2027 году, в которых плотность NAND — потенциально включая QLC — будет играть ключевую роль.
Хотя Samsung менее активно говорит о новом чистом QLC в 2025–2026 годах, ее дорожная карта V-NAND включает интеграцию QLC в качестве части высокоплотного решения для ИИ, центров обработки данных и массового хранения данных.
Micron Technology: Первый твердотельный накопитель PCIe 5.0 QLC для OEM-производителей.
Компания Micron сделала значительный шаг вперед, анонсировав твердотельный накопитель QLC следующего поколения:
Твердотельный накопитель Micron 3610 NVMe
PCIe 5.0 NVMe с NAND-памятью QLC 9-го поколения обеспечивает емкость до 4 ТБ в компактном форм-факторе M.2 2230.
Разработанный для OEM-рынков, в частности для ультратонких ноутбуков, устройств Windows ARM и потребительских/промышленных задач в области ИИ,
он обеспечивает скорость последовательного чтения до 11 000 МБ/с, демонстрируя достижения в области энергоэффективности и использование технологии QLC для высокой плотности хранения данных.
О запуске продукта было объявлено в начале 2026 года на отраслевых выставках и конференциях.
Micron также отметила прекращение поддержки бренда Crucial, чтобы сосредоточиться на рынках ИИ/корпоративного сегмента, что знаменует собой стратегический сдвиг в портфеле решений для хранения данных.
SK Hynix: Серийное производство 321-слойной QLC NAND.
Компания SK Hynix совершила значительный прорыв в технологии QLC:
321-слойная 2 Тб QLC NAND (V9Q).
Компания начала серийное производство 321-слойных QLC-чипов с плотностью 2 Тб на кристалл, что обеспечивает значительное улучшение производительности чтения/записи и энергоэффективности по сравнению с предыдущими поколениями.
Эта память позволяет создавать высокопроизводительные SSD-накопители, включая модели объемом около 244 ТБ для центров обработки данных, а также высокоплотные и недорогие потребительские решения.
Переход к 321 слою является важной вехой, которая помогает смягчить некоторые традиционные ограничения QLC, такие как снижение производительности при больших объемах хранения.
Кроме того, SK Hynix сосредоточилась на технологиях, выходящих за рамки QLC, таких как 5-битная флэш-память на ячейку (PLC) и гибридные архитектуры, хотя они все еще находятся на стадии исследований и разработок.
Western Digital/SanDisk: интеграция и новые стандарты.
Western Digital и SanDisk, хотя и не так явно заявляют о конкретных анонсах QLC с конца 2025 года, участвуют в инновационных инициативах в области памяти:
альянс SanDisk + SK Hynix для «высокоскоростной флэш-памяти (HBF)»:
эта технология сочетает NAND с высокоскоростными интерфейсами, чтобы конкурировать с HBM в приложениях искусственного интеллекта, предлагая в 8–16 раз большую плотность, чем DRAM, при меньшем энергопотреблении.
Хотя это и не традиционная QLC, это предложение отражает то, как передовые массивы NAND (включая QLC) переосмысливаются для интенсивных рабочих нагрузок.
Western Digital продолжает производить SSD-накопители корпоративного класса и сотрудничает в разработке решений OptiNAND, в которых QLC может быть интегрирована в массивы емкости, когда приоритет отдается хранению данных, а не максимальной производительности.
Solidigm (ранее Intel NAND): Масштабирование емкости в твердотельных накопителях QLC.
После приобретения компанией SK Hynix бизнеса Intel по производству NAND-памяти, Solidigm сосредоточила свои усилия на твердотельных накопителях корпоративного класса на базе QLC:
накопителях большой емкости (более 245 ТБ).
Solidigm подтвердила планы по выпуску твердотельных накопителей емкостью более 245 ТБ к концу 2026 года на основе высокоплотной памяти QLC.
Эти решения ориентированы на крупные компании и ресурсоемкие задачи в области искусственного интеллекта, где QLC обеспечивает идеальный баланс между емкостью и стоимостью.
Семейство D5-P5336 уже продемонстрировало емкость около 122,88 ТБ с использованием QLC, а дорожная карта указывает на еще более высокую плотность за счет усовершенствованной интеграции в корпус и улучшенного управления температурным режимом/прошивки.
Сравнение технических подходов
памяти (2025-2026) Ориентация на продукт
Samsung V-NAND 9-го поколения (встроенная QLC, внедрение в 2026 году) Высокая плотность для серверов/ИИ
Micron Micron 3610 Gen5 QLC SSD для OEM-производителей ультратонких ноутбуков, ИИ
SK Hynix Массовое производство 321-слойная QLC 2 Тб Потребительские устройства и центры обработки данных
WD / SanDisk Инициативы HBF с NAND Гибридные архитектуры памяти/хранения данных
Solidigm SSD >245 ТБ QLC дорожная карта Корпоративные/гипермасштабируемые решения
Заключение:
Память QLC NAND продолжает стремительно развиваться в 2025-2026 годах благодаря зрелости 3D NAND, многослойной архитектуре и усовершенствованиям контроллеров и микропрограммного обеспечения.
Samsung добилась прогресса с V-NAND 9-го поколения, включающим QLC, хотя его полномасштабное внедрение отложено до 2026 года.
Micron представила твердотельный накопитель QLC PCIe 5.0 для OEM-производителей, сочетающий в себе эффективность и производительность.
SK Hynix лидирует по плотности QLC с 321-слойными чипами и предложениями большой емкости.
Western Digital/SanDisk изучает новые форм-факторы и партнерства для поддержания своего конкурентного преимущества.
Solidigm планирует выпуск сверхемких накопителей QLC для корпоративного ИИ.
В совокупности эти достижения демонстрируют диверсифицированную индустрию NAND, ориентированную на инновации, где QLC лежит в основе экономически эффективных стратегий хранения больших объемов данных, особенно для систем ИИ и систем, интенсивно использующих данные.
