Таким образом, новая серия открывает новые возможности для роста и позиционирует себя как идеальный выбор для быстроразвивающихся приложений в таких областях, как безопасность, промышленность и Интернет вещей.
Высокоскоростная QSPI NAND Flash серия GD5F1GM9 производится по 24-нм техпроцессу. Серия поддерживает рабочее напряжение 3 В и 1,8 В и предлагает различные высокоскоростные режимы чтения: непрерывное чтение, чтение из кэша и автоматическая загрузка следующей страницы. Новые режимы непрерывного чтения и автоматической загрузки следующей страницы обеспечивают пользователям большую универсальность для быстрого доступа к коду и данным. Кроме того, в конструкцию ECC (код коррекции ошибок) интегрирована новая система параллельных вычислений, заменяющая традиционный последовательный метод и значительно сокращающая время обработки интегрированного ECC.
Что касается производительности, версия серии с напряжением 3 В достигает скорости до 83 МБ/с в режиме непрерывного чтения с максимальной частотой 166 МГц, а версия с напряжением 1,8 В достигает 66 МБ/с при 133 МГц. Эти показатели, в три раза превышающие скорость обычных SPI NAND-памяти, работающих на той же частоте, обеспечивают улучшенный доступ к данным, сокращают время загрузки системы и снижают общее энергопотребление.
Наличие заводских дефектных блоков — это неотъемлемая проблема технологии NAND Flash. Для решения этой проблемы в серии GD5F1GM9 используется управление поврежденными блоками (BBM). Эта функция гарантирует доступ ко всему массиву памяти одной командой, поскольку BBM динамически сопоставляет адреса дефектных блоков с действительными блоками, автоматически пропуская неисправные. Первые 256 блоков серии GD5F1GM9 гарантированно полностью работоспособны сразу после установки. Хотя могут существовать заводские дефектные блоки, и новые дефектные блоки могут появляться в процессе использования, функция BBM создает связи между логическими и физическими адресами, позволяя перераспределять и заменять проблемные блоки. Устройство поддерживает до 20 ссылок поиска в таблице BBM.
Серия GD5F1GM9 предлагает емкость 1 Гбит/с с двумя вариантами рабочего напряжения: 3 В и 1,8 В. Она доступна в нескольких форматах корпусов, включая 8 × 6 мм WSON8, 6 × 5 мм WSON8 и BGA24 с матрицей из 5 × 5 выводов.
