Устройства KIOXIA 4.1 оснащены инновационной 3D BiCS FLASH™ флэш-памятью и контроллером компании в стандартном корпусе JEDEC®. Эти новые устройства UFS разработаны на основе 8-го поколения 3D BiCS FLASH™ флэш-памяти KIOXIA (1). В этом поколении используется технология CBA (CMOS directly Bonded to Array), архитектурная инновация, представляющая собой радикальный сдвиг в проектировании флэш-памяти.
Благодаря прямому соединению CMOS-схем с массивом памяти, технология CBA обеспечивает значительное повышение энергоэффективности, производительности и плотности.

Сочетая скорость и низкое энергопотребление, устройства KIOXIA UFS 4.1 разработаны для улучшения пользовательского опыта, что приводит к более быстрой загрузке и более плавной работе приложений.

Вот их основные характеристики:
- Емкость 256, 512 гигабайт (ГБ) и 1 терабайт (ТБ)
- Повышение производительности по сравнению с предыдущим поколением:
- Случайная запись: приблизительно 512 ГБ/1 ТБ +30%
- Случайное чтение: 512 ГБ +45% примерно, 1 ТБ +35% примерно.
- Повышение энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением:
- Чтение: 512 ГБ/1 ТБ примерно +15% улучшение
- Чтение: 512 ГБ/1 ТБ примерно +20% улучшение
- Дефрагментация, инициируемая хостом, позволяет отложить сборку мусора для бесперебойной работы в критические моменты.
- Изменение размера буфера WriteBooster обеспечивает большую гибкость для оптимальной производительности
. - Совместимость со стандартом UFS 4.1.
- Уменьшенная высота корпуса для модели 1 ТБ по сравнению с предыдущим поколением.
- Работает на основе флэш-памяти KIOXIA BiCS FLASH™ 3D 8-го поколения.

«Новые устройства памяти UFS 4.1 от KIOXIA представляют собой значительный шаг вперед, подтверждающий лидерство KIOXIA в области высокопроизводительных накопителей и ее стремление к инновациям в сфере флэш-памяти», — заявил Аксель Штёрманн, вице-президент и руководитель отдела технологий памяти и SSD-накопителей в KIOXIA Europe GmbH. «Разработанные с использованием технологий BiCS FLASH™ 8-го поколения и CBA, эти устройства отвечают требованиям мобильных приложений следующего поколения, таких как встроенный искусственный интеллект, и представляют собой значительный шаг вперед по сравнению со своими предшественниками».

Более подробная информация